在半導體製造過程中，晶圓清洗技術的精度直接影響晶片良率與性能。隨著製程節點邁向28奈米及更先進技術，傳統濕式清洗已無法滿足需求，而高溫硫酸過氧化混合物（SPM）設備因其優異的光刻膠去除與金屬剝離能力，成為不可或缺的關鍵設備。近期，盛美半導體的單片晶圓高溫SPM設備通過邏輯晶片大廠驗證，並獲全球13家客戶採用，凸顯其在先進製程中的重要性。
SPM是硫酸（H?SO?）與過氧化氫（H?O?）的混合溶液，在高溫下具有極強氧化能力，能有效去除晶圓表面的光刻膠、有機污染物及金屬殘留。尤其在28奈米以下製程中，晶圓結構更精細，污染物若未徹底清除，將導致短路或電性失效。傳統批次式SPM設備因溫度控制不均與顆粒污染問題，逐漸被單片式高溫SPM設備取代，後者能精準控制反應條件，並減少化學液浪費。
盛美半導體的設備採用多級加熱系統，可將混合液溫度穩定控制在230℃以上，適用於三種關鍵製程：
一、中低溫清洗（90℃）：用於一般有機物去除。
二、高溫光刻膠剝離（170℃）：解決先進製程中硬化光刻膠的難題。
三、超高溫金屬剝離（190℃）：應用於後段製程的金屬層清洗。
在半導體製造中，即使微米級顆粒也可能導致晶片缺陷。盛美SPM設備的創新噴嘴設計能防止酸霧飛濺，將26奈米級顆粒數量控制在平均10顆以下，遠優於行業標準。此外，其腔體自清洗功能與化學內聯混合（CIM）系統，可減少維護頻率，提升設備運作時間（uptime），降低生產成本。
隨著邏輯晶片與記憶體製程持續微縮，對高溫SPM設備的需求顯著增加。據業界分析，5奈米以下製程需更嚴格的清洗精度，而SPM技術能與超音波清洗（如SAPS/TEBO技術）結合，進一步提升效果。
半導體技術的進步，使得濕式清洗設備必須兼具高效能與高穩定性。高溫SPM設備憑藉其優異的污染物去除能力與顆粒控制，已成為先進製程的標配。未來，隨著3D晶片堆疊與異質整合技術興起，SPM設備的應用範圍有望進一步擴大，持續支撐半導體產業的創新需求。
