Littelfuse公司今日宣部推出高壓側和低壓側柵極驅動器IXD2012NTR，設計用於驅動兩個採用半橋配置的N溝道MOSFET或IGBT。該IXD2012NTR針對高頻電源應用進行了最佳化，具有卓越的開關性能和更高的設計靈活性。
IXD2012NTR可在10V~20V的寬電壓範圍內運作，在自舉操作中支援高達200V的高壓側開關，其邏輯輸入與低至3.3 V的標準TTL和CMOS電平相容，確保與各種控制設備無縫整合。IXD2012NTR具有1.9A拉電流和2.3A灌電流輸出能力，提供強勁的閘極驅動電流，是高速開關應用的理想選擇。
此元件整合的交叉傳導保護邏輯可防止高壓側和低壓側輸出同時開啟，同時透過高整合簡化了電路設計。IXD2012NTR採用緊湊型SOIC(N)-8封裝，工作溫度範圍在-40℃~+125℃，即使在惡劣工況條件下也能提供可靠的性能。
