提供種類最齊全的半導體與電子元件、專注於新產品導入的授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起供貨安森美 (onsemi) 全新GaNEXUS氮化鎵場效電晶體 (GaN FET)。GaNEXUS GaN FET運用GaN的寬能隙屬性，提供高速切換、低閘極和輸出電荷，能為AI、資料中心、工業自動化、機器人以及能源基礎架構等應用提升效率。
安森美GaNEXUS GaN FET可在低、中、高和超高電壓範圍的功率轉換應用中實現更高的作業頻率，提升功率密度，同時減少磁性元件的使用。這些增強型獨立式GaN高電子遷移率電晶體 (HEMT) 提供40V至650V的電壓範圍，包括整合保護功能的650V GaNEXUS智慧型GaN FET，可改善可靠性並簡化系統整合。GaNEXUS解決方案旨在改善現代電力系統轉換及管理能源的方式，協助設計人員簡化設計複雜度、加快開發與認證速度、降低散熱與冷卻需求，以及最佳化整個電力傳輸鏈的效能。
安森美GaNEXUS GaN FET
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在AI伺服器、48V中間匯流排轉換器 (IBC)、備用電池單元 (BBU) 和馬達驅動器等低電壓與中電壓系統中，GaNEXUS能夠實現更小的磁性元件、更高的功率密度、更佳的效率與散熱表現，同時提高控制穩定性並降低切換損耗。
在AI電力機架、高電壓DC-DC轉換、PFC和LLC功率級等高電壓應用中，GaNEXUS可在高頻AC-DC和諧振級中縮減高達60%的磁性元件尺寸，並且提升PFC、LLC和HV DC-DC架構的功率密度，進而節省散熱與作業成本。
