AI供電邁向800V SiC、GaN搶進資料中心 (2026.09.10)
AI基礎建設競賽逐漸從GPU算力延伸至電力轉換。隨著AI伺服器功率密度提高，傳統資料中心供電面臨轉換損耗、電流與散熱壓力，800V高壓直流（HVDC）、固態變壓器（SST）與寬能隙功率半導體逐漸形成新一代供電架構，SiC、GaN也從電動車與…
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算力驅動功率元件、先進封裝升級 大廠加速策略轉型 (2026.09.09)
迎接AI算力與Physical AI熱潮，資策會產業情報研究所（MIC）於9/8~9/10舉辦「2026 MIC FORUM Fall《躍進 AI Leap》」研討會，今（9）日聚焦AI應用從雲到端全面擴張的趨勢，正改寫半導體產業競爭格局。…
AI伺服器跨過54V極限 800V重塑資料中心供電 (2026.09.08)
AI算力競賽正從GPU延伸至電力基礎設施。隨著下一代AI伺服器機櫃功率密度快速提高，既有54V直流供電面臨電流過大、銅材與線纜增加、轉換損耗及機櫃空間等瓶頸，800V高壓直流（HVDC）與固態變壓器（SST）逐漸成為AI資料中心下一波技術競…
ROHM開發出業界最高等級Wide-SOA的MOSFET (2026.09.03)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）針對車載安全功能和保護電路開發出100V耐壓MOSFET「RS4P063BPHZG」。 近年來，隨著汽車電子化的發展，開始要求車載系統能夠滿足高電壓和高電流的需求。尤其是在安全功能和保護電路中，異常…
讓機器人像人類一樣靈巧 英飛凌微型馬達控制重塑人型關節神經 (2026.08.24)
走進展會燈光微暗的展示區，透明壓克力展示箱內一隻泛著淡金屬綠光芒的擬人機械手臂，正靜靜托舉著一枚重達兩公斤的金屬啞鈴。它沒有工業機械手臂那種龐大笨重的減速機外殼，也沒有拖曳在外、繁雜如藤蔓般的散熱管線與線束，整體線條流暢優雅，關節處僅嵌有一…
Power Integrations發表2200V GaN技術 拓展高壓電力系統應用 (2026.08.07)
Power Integrations（PI）宣布推出 2200 V PowiGaN 氮化鎵技術。該技術提升了商用 GaN 元件的電壓等級，使 GaN 技術可應用於過往主要由碳化矽（SiC）主導的高壓領域，提供相關系統在功率密度、效率與架構設…
安森美：AI算力競賽進入電力架構時代 設計與驗證成本不可忽視 (2026.07.31)
生成式AI與高效能運算快速發展，正將資料中心的競爭焦點，從單純追求運算效能，推向更根本的電力問題。當單一機架需要承載更高功率，系統業者面臨的不只是供電量增加，還包括轉換損耗、散熱、空間、可靠度與建置成本同步上升。AI資料中心的下一場競賽，將…
ROHM開發出實現業界頂級低損耗650V耐壓IGBT (2026.07.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）開發出650V耐壓第4代IGBT*1，非常適用於車載電動壓縮機、HV加熱器以及工業設備用變頻器等應用。作為支援車載應用的650V等級產品，實現了業界頂級※低導通損耗VCE(sat)＝1.55V，同時…
ROHM推出頂部散熱SiC MOSFET全新封裝 可兼顧高散熱與高耐壓！ (2026.07.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封裝。新產品為可自動安裝的表面安裝型產品，透過將散熱面置於封裝頂部的結構，實現了與插裝型封裝（TO-247-4L）同等…
英特爾於2026 VLS發表18A-P製程與GaN+Si數位電源技術 (2026.06.19)
英特爾（Intel）在夏威夷舉辦的「2026年VLSI技術與電路研討會上，首度公開其最新「Intel 18A-P」製程的關鍵進展，並在現場成功展示了全球首創的 300mm晶圓級氮化鎵與矽邏輯晶片（GaN+Si）單片整合技術。 這項技術利用異…
格棋化合物半導體榮獲第22屆台灣金根獎 (2026.06.10)
台灣碳化矽（SiC）材料廠格棋化合物半導體獲第22屆台灣金根獎肯定。台灣金根獎以「深耕台灣、佈局全球」為核心精神，表揚以台灣為營運根基、具備國際市場拓展能力與產業競爭力的企業。格棋此次以中小企業組「半導體及數位科技」領域獲獎，展現公司自20…
ROHM針對車載48V系統推出全新MOSFET「AG16xFNxx系列」！ (2026.06.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）針對車載應用日益普及的48V電源系統，開發出80V耐壓MOSFET「AG16xFNxx系列」。 新產品採用HPLF5060（4.9×6.0mm）和DFN3333（3.3×3.3mm）封裝，比起車載用…
ROHM SiC MOSFET應用於HVDC化加速發展的AI伺服器電源BBU (2026.06.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）的750V耐壓SiC MOSFET已被應用於AI伺服器電源BBU（備用電池單元）中。隨著生成式AI的普及，AI伺服器電源正加速朝向更高壓及HVDC（高壓直流供電）架構演進，在此背景下，ROHM的Si…
AI如何成為交通系統的操作核心 (2026.06.09)
交通系統向城市操作系統（City OS）的轉型，實質上是人類社會走向「智慧社會」的縮影，許多廠商的努力，讓一個安全、高效、且具備高度韌性的移動生態已然具備雛形。…
ROHM開發出第5代SiC MOSFET，高溫下導通電阻可降低約30%！ (2026.05.19)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）開發出全新一代EcoSiC—「第5世代SiC MOSFET」，非常適用於xEV（電動車）牽引逆變器*等汽車電動動力總成系統，以及AI伺服器電源和資料中心等工業設備電源。 ROHM在開發第5世代SiC…
ROHM PLECS Simulator上線！實現電力電子電路的快速驗證 (2026.05.19)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）在官網上發佈了根據模擬軟體PLECS*開發的模擬工具「ROHM PLECS Simulator」， 該工具可在線上高速模擬ROHM功率元件的工作情況，非常適合電力電子電路的設計人員和系統設計人員使用…
SiP技術：克服製造瓶頸 掌握異質整合關鍵 (2026.05.14)
系統級封裝（SiP）技術正快速獲得市占率的成長。…
國科會核准5案進駐科學園區 投資7.9億元布局SiC與AI設計服務 (2026.05.11)
國科會於第32次園區審議會中核准5案進駐科學園區，總投資金額達新臺幣7.9億元。本次核准案涵蓋綠能環保、第三代半導體及ASIC設計服務，顯見科學園區持續吸引高階技術投資，完善臺灣高科技產業鏈布局，並對接全球淨零碳排趨勢與AI運算需求。 南部…
利用運算放大器實現可調線性穩壓電源與訊號產生器 (2026.05.11)
運算放大器是一種高增益的電子元件，主要用來放大電壓訊號。它是一種差動放大器，輸出取決於兩個輸入端之間的電壓差。…
電動車牽引逆變器裝機量創新高 高壓平台滲透率持續提升 (2026.03.16)
受惠於純電動車（BEV）銷量持續成長，根據TrendForce調查2025年Q4全球電動車牽引逆變器（Traction Inverter）市場裝機量攀升至965萬台左右，創近2年新高，顯示電動化趨勢與單車電驅系統搭載率正持續提高。 相較於2…