晶圓廠開始搶電網 AI時代半導體擴產卡在電力 (2026.09.15)
AI算力競賽不只是讓資料中心搶電，連先進晶圓廠也開始面臨相同的瓶頸。韓國電力公社（KEPCO）原希望三星電子與SK海力士預付未來五年、合計約25兆韓元電費，用於提前建設半導體聚落所需輸電與變電設施，但兩家公司考量後續設備投資及財務負擔，決定…
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High-NA EUV量產倒數 先進製程供應鏈全面重整 (2026.09.15)
AI晶片推升先進製程需求，半導體微縮競賽正由既有EUV邁向High-NA EUV。ASML最新High-NA曝光設備單價約4億美元，約為現行EUV兩倍，然而隨著Intel、台積電、三星及SK海力士陸續確認或規劃導入，High-NA已逐步由研…
High-NA EUV材料戰升溫 日本生質光阻搶攻10奈米 (2026.09.10)
先進半導體微縮競爭從EUV曝光設備延伸至光阻、光罩與量測材料。日本王子控股（Oji Holdings）與imec合作開發的木質生質光阻，透過High-NA EUV曝光已成功形成10奈米線寬及16奈米孔洞圖形，鎖定A14世代製程，更重要的是不…
英特爾晶圓代工與ASML攜手合作 加速產業運用High-NA EUV (2026.09.08)
本週於SPIE光罩技術暨極紫外光微影研討會（SPIE Photomask Technology + Extreme Ultraviolet Lithography）上，英特爾晶圓代工與ASML分享將高數值孔徑極紫外光（High NA EUV…
AI缺口不只CoWoS 設備材料同步進入擴產週期 (2026.09.04)
AI算力需求快速膨脹，半導體產能瓶頸已從GPU與CoWoS，進一步擴散至晶圓廠、設備、材料、廠務甚至建廠人力。台積電副共同營運長侯永清在SEMICON Taiwan 2026指出，AI需求增速是過去30年未見，若以去年底設備需求預估為基準，…
突破AI晶片散熱與封裝瓶頸 創浦攻晶片內建冷卻與玻璃基板鍍膜技術 (2026.09.02)
半導體產業的競爭焦點正全面延伸至先進封裝與晶片層級的散熱架構。創浦（TRUMPF）於 SEMICON Taiwan 2026 期間，展示針對 AI 晶片堆疊的「整合式晶片內部冷卻技術」，並同步發表用於玻璃基板（Glass Substrate…
深耕40年的晶圓廠量測與檢測：重大里程碑和未來發展 (2026.08.20)
imec的量測專家在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術，瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期，提供imec前瞻量測發展藍圖，其發展動力與多項重大挑戰相關，包含尺寸微縮和3D技術的興起，還有成本和永續發展需求。…
台塑攜大賽璐攻半導體材料 光阻稀釋劑國產化瞄準先進製程 (2026.08.13)
AI、高效能運算（HPC）與先進製程持續推升電子級化學品需求，台塑進一步將石化原料優勢延伸至半導體關鍵材料。台塑宣布與日本大賽璐（Daicel Corporation）合資成立「台塑大賽璐精密化學」，鎖定半導體製程使用的電子級光阻稀釋劑，預…
深耕40年的晶圓廠量測與檢測：重大里程碑和未來發展 (2026.08.11)
imec的量測專家將在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術，瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期，同時提供imec的前瞻量測發展藍圖，其發展動力與多項重大挑戰相關，包含尺寸微縮和3D技術的興起，還有成本和永續發展的需求。…
台灣整合記憶體架構 (2026.07.09)
隨著AI軟硬體不斷演進，記憶體的重要性如今已幾乎與算力並列，成為最重要的戰略資產。…
Nearfield完成3.8億美元D輪融資 創荷蘭deep-tech最大募資紀錄 (2026.06.23)
Nearfield Instruments 成功完成總額達 3.8 億美元（約 123 億新台幣）的 D 輪融資。本輪融資完成後，公司估值達 16 億美元， 是Nearfield 發展為半導體量測與檢測全球領導者的重要里程碑。 本輪融資由新…
日本OIST發表全新簡化高NA EUV設計 大幅降低半導體功耗與成本 (2026.06.18)
沖繩科學技術大學院大學（OIST）新田特束教授17日於《微/奈米圖案化、材料與計量學期刊》（JM3）發表一項創新性的光學硬體破局技術，宣布對高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）曝光機的照明與投影系統進行激進重構，解決半導體光學功耗與…
ASML：從產品、營運及整體價值鏈 推動全方位永續轉型 (2026.05.25)
在 AI 運算與資料中心需求快速成長下，半導體產業在追求更高運算效能的同時，也面臨能源使用與永續發展的挑戰。全球晶片微影技術領導廠商艾司摩爾（ASML）副總裁暨台灣總經理汪佳慧（Grace Wang）強調將透過技術創新與產業合作，在支持產業…
2奈米旗艦晶片成本激增20% 或將改變未來終端裝置市場定位 (2026.05.12)
根據供應鏈最新消息指出，全球兩大行動晶片龍頭高通與聯發科傳出將提前導入 2 奈米製程。…
三星、SK 海力士、美光開始啟動DDR6研發 (2026.05.05)
全球記憶體三大巨頭全面展開下一代標準「DDR6」的研發與規格制定，預計將於 2028 年正式進入商用化階段。…
imec獲High-NA EUV系統 推動業界步入埃米世代 (2026.03.19)
比利時微電子研究中心（imec）近日宣布所採購的ASML最新EXE:5200高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影系統已順利到廠，將進一步確立其在埃米時代扮演產業發展基地的關鍵地位，並提供其全球夥伴生態系統提前取得新一代晶片微縮技…
imec光阻劑減量：MOR曝光後烘烤步驟注入氧氣成為產量關鍵推手 (2026.03.03)
日前舉行的2026年國際光學工程學會（SPIE）先進微影成形技術會議（Advanced Lithography + Patterning Conference）上，比利時微電子研究中心（imec）展示在EUV微影曝光後步驟精準控制氣體成分有…
High NA EUV將登場 是否將加速半導體產業寡占？ (2026.02.13)
隨著 2 奈米以下製程逐步逼近量產階段，High NA EUV（高數值孔徑極紫外光刻機）設備被視為延續摩爾定律的重要關鍵。然而，在技術突破的光環之下，產業界也開始討論一個更現實的問題：當導入門檻與投資規模再創新高，是否將進一步加速全球半導體…
歐盟啟動NanoIC晶片試產線 推進先進製程與AI競爭力 (2026.02.13)
在全球半導體競爭日益激烈的局勢下，歐盟正式啟動 NanoIC 晶片試產線（NanoIC pilot line），意圖強化本土先進半導體研發與製造能力，並縮小與亞洲、美國先進晶片製造的技術差距。該設施於比利時魯汶（Leuven）的 imec …
imec採用EUV微影技術 展示固態奈米孔首次晶圓級製造 (2026.02.03)
於今年IEEE國際電子會議（IEDM），imec展示運用極紫外光（EUV）微影技術首次成功完成的固態奈米孔晶圓級製造。固態奈米孔作為分子感測應用的有力工具，正在逐漸興起，但還未進行商業化。這項概念驗證是邁向其經濟高效（大規模）生產的關鍵一步…