新世代記憶體大突破 臺灣團隊攻克SOT-MRAM材料瓶頸 (2025.09.26)
新型記憶體推進商用化，由材料科學與工程學系黃彥霖助理教授領導的研究團隊，攜手台積電、工研院、國家同步輻射研究中心、史丹佛大學及國立中興大學等國際頂尖夥伴，成功突破自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體（SOT-MRAM）的關鍵材料限制。這項成果不…
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SOT-MRAM記憶體技術重大突破 有望改寫電腦快取架構 (2025.02.10)
德國約翰古騰堡大學（JGU）研究團隊攜手法國Antaios公司，在自旋軌道扭矩（SOT）磁性隨機存取記憶體（MRAM）技術上取得關鍵性進展。這項創新技術展現了取代現有電腦快取記憶體的潛力，為高效能運算開闢新道路。 SOT-MRAM以其卓越的…
工研院與台積合作開發SOT-MRAM 降百倍功耗搶HPC商機 (2024.01.17)
面對現今人工智慧（AI）、5G構成的AIoT時代來臨，包括自駕車、精準醫療診斷、衛星影像辨識等應用須快速處理大量資料，要求更快、更穩、功耗更低的新世代記憶體成為各家大廠研發重點。工研院今（17）日也發表與台積電合作，攜手開發出自旋軌道轉矩磁…
創新SOT-MRAM架構 提升新一代底層快取密度 (2023.04.17)
要將自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體（SOT-MRAM）用來作為底層快取（LLC），目前面臨了三項挑戰；imec在2022年IEEE國際電子會議（IEDM）上提出一套創新的SOT-MRAM架構，能夠一次解決這些挑戰。…
經濟部發表新研發成果 領先三星推出最快磁性記憶體 (2022.09.14)
經濟部技術處SEMICON Taiwan科技專案成果主題館於今（14）日在「2022 SEMICON Taiwan」台北南港展覽館一館四樓N0662攤位正式登場！共展出33項創新技術！首先最吸睛的技術，是由工研院攜手多家台灣大廠，完成世界最…
工業儲存技術再進化！ (2022.08.26)
近年來，半導體先進製程微縮趨勢帶動下，加上AI人工智慧、5G與AIoT等科技加速推進，3C設備、智慧家電、智慧汽車、智慧城市到國防航太等領域都可以應用大量晶片記錄海量數據。…
TAIPEI, Taiwan – Taiwan’s ITRI(Industrial Technology Research Institute) announced a world-leading SOT-MRAM technology w…
工研院攜手台積、陽明交大 在VLSI發表頂尖磁性記憶體技術 (2022.06.15)
工研院在今（15）日宣布，與台積電合作開發世界前瞻的自旋軌道扭矩磁性記憶體（Spin Orbit Torque Magnetoresistive Random Access Memory；SOT-MRAM）陣列晶片；另外，工研院也攜手國立陽…
為台灣嵌入式記憶體技術奠基 國研院發表SOT-MRAM研發平台 (2021.11.09)
國研院半導體中心，今日舉行次世代嵌入式記憶體技術，「自旋軌道力矩式磁性記憶體（SOT-MRAM）」研究成果發表會。該記憶體採用垂直異向性的結構，不僅電耗更低、體積更小，同時讀寫的速度也更快，能夠整合至高性能的邏輯IC之中，進一步實現下世代的…
工研院於IEDM發表下世代FRAM與MRAM記憶體技術 (2019.12.10)
工研院於今美國舉辦的IEEE國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting；IEDM)中發表三篇鐵電記憶體(Ferroelectric RAM；FRAM)以及三篇磁阻隨機存取記憶體（Magne…