算力驅動功率元件、先進封裝升級 大廠加速策略轉型 (2026.09.09)
迎接AI算力與Physical AI熱潮，資策會產業情報研究所（MIC）於9/8~9/10舉辦「2026 MIC FORUM Fall《躍進 AI Leap》」研討會，今（9）日聚焦AI應用從雲到端全面擴張的趨勢，正改寫半導體產業競爭格局。…
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安森美：攻克AI資料中心電力挑戰 固態變壓器嶄露頭角 (2026.09.09)
人工智慧的快速發展使得資料中心電力基礎設施面臨急遽攀升的供電需求。 傳統配電系統以 400V 交流母線為基礎，並需經過多個轉換級降至低壓伺服器供電，正日益承受壓力。 為應對這些挑戰，產業正逐步轉向 800V 高壓直流 （HVDC） 架構。 …
英飛凌首款針對AI資料中心HVDC架構的24 kW SiC BBU參考設計問世 (2026.08.12)
英飛凌科技推出新款 24 kW 電池備份單元（BBU）DC-DC 參考設計。其專為AI資料中心的高壓直流母線架構而設計，是業內首款可直接在電池組與 800 V 直流母線之間運行的解決方案，採用了 650 V 和 1200 V 碳化矽（SiC…
ROHM推出頂部散熱SiC MOSFET全新封裝 可兼顧高散熱與高耐壓！ (2026.07.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封裝。新產品為可自動安裝的表面安裝型產品，透過將散熱面置於封裝頂部的結構，實現了與插裝型封裝（TO-247-4L）同等…
ROHM SiC MOSFET應用於HVDC化加速發展的AI伺服器電源BBU (2026.06.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）的750V耐壓SiC MOSFET已被應用於AI伺服器電源BBU（備用電池單元）中。隨著生成式AI的普及，AI伺服器電源正加速朝向更高壓及HVDC（高壓直流供電）架構演進，在此背景下，ROHM的Si…
ROHM開發出第5代SiC MOSFET，高溫下導通電阻可降低約30%！ (2026.05.19)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）開發出全新一代EcoSiC—「第5世代SiC MOSFET」，非常適用於xEV（電動車）牽引逆變器*等汽車電動動力總成系統，以及AI伺服器電源和資料中心等工業設備電源。 ROHM在開發第5世代SiC…
國科會核准5案進駐科學園區 投資7.9億元布局SiC與AI設計服務 (2026.05.11)
國科會於第32次園區審議會中核准5案進駐科學園區，總投資金額達新臺幣7.9億元。本次核准案涵蓋綠能環保、第三代半導體及ASIC設計服務，顯見科學園區持續吸引高階技術投資，完善臺灣高科技產業鏈布局，並對接全球淨零碳排趨勢與AI運算需求。 南部…
ST Taiwan Techday 2025登場 鎖定AI、智慧移動與綠能四大商機 (2025.12.05)
服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）將於 12 月 12 日在台北文創舉辦第二屆 ST Taiwan Techday。今年以「科技始之於你（Te…
ST台灣Techday 2025登場 全面展示次世代半導體技術版圖 (2025.12.04)
全球半導體大廠意法半導體（STMicroelectronics，以下簡稱 ST）將於 12 月 12 日在台北文創舉辦第二屆ST Taiwan Techday。今年以「科技始之於你（Technology Starts with You）」為…
GE Aerospace第四代SiC MOSFET瞄準AI資料中心與高功率工業應用 (2025.11.13)
面對高速成長的人工智能資料中心、電動車、航空航太與高功率工業應用帶來的能源挑戰，GE Aerospace公司近日展示第四代碳化矽（SiC）MOSFET功率元件，成為推動新一波能源效率提升的重要技術里程碑。本次展示於紐約州的GE研究中心完成，…
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）的EcoGaN Power Stage IC已應用於電競用筆記型電腦等MSI（微星）產品的AC Adapter。這款AC Adapter由全球領先的電源製造商-台達開發，採用ROHM的EcoGaN …
Littelfuse新一代汽車級柵極驅動器問世 強化SiC與IGBT控制效能 (2025.11.04)
隨著電動車（EV）動力總成與高效率電源系統快速發展，能精準控制功率半導體開關的柵極驅動器（Gate Driver）成為影響系統效能與可靠度的關鍵元件。Littelfuse 推出全新 IX4352NEAU 汽車級低壓側柵極驅動器，以滿足電動車…
兼顧小型化且對應大功率！ ROHM開始量產TOLL封裝SiC MOSFET (2025.10.28)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）已開始量產TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET「SCT40xxDLL」系列產品。與同等耐壓和導通電阻的傳統封裝產品（TO-263-7L）相比，散熱性提升約39%，雖然兼具小型…
Littelfuse推出IX3407B隔離柵極驅動器簡化大功率設計 (2025.10.09)
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工業技術製造公司，致力於為永續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出IX3407B單通道電氣隔離閘極驅動器。本產品專為高壓電源應用設計，可提供高速開關性能並簡化…
「Power Eco Family」 ROHM功率半導體產品介紹 (2025.10.01)
1.前言 近年來，全球耗電量逐年增加，在工業和交通運輸領域的成長尤為顯著。另外以化石燃料為基礎的火力發電和經濟活動所產生的CO2（二氧化碳）排放量增加已成為嚴重的社會問題。因此為了實現零碳社會，努力提高能源利用效率並實現碳中和，已成為全球共…
搭載ROHM SiC MOSFET的Schaeffler’s Inverter Brick開始量產 (2025.09.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）與德國大型汽車零件供應商Schaeffler（總部位於德國Herzogenaurach，以下稱Schaeffler）宣佈，作為戰略合作夥伴關係的重要里程碑，Schaeffler開始量產針對中國大型汽…
下一代汽車中現代計算架構的性能元件和保護 (2025.08.13)
本文探討向分區控制的過渡、分區控制對電源管理的影響，以及確保下一代汽車系統安全、可靠和高效運作的關鍵保護策略。…
ROHM推出「PFC＋返馳式控制參考設計」 (2025.07.24)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出新的參考設計「REF67004」，該設計可透過單個微控制器控制廣泛應用於消費性電子和工業設備電源的兩種轉換器—電流臨界模式PFC（Power Factor Correction）*1和準諧振返馳…
ROHM公布全新SPICE模型「ROHM Level 3 (L3)」 助力功率半導體模擬速度 (2025.06.18)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出全新SPICE模型「ROHM Level 3 (L3)」，大幅提升了收斂性和模擬速度。 功率半導體的損耗對系統整體效率有重大影響，因此在設計階段的模擬驗證中，模型的精度至關重要。ROHM以往提供…
意法半導體推出車用閘極驅動器 強化電動車動力系統的效能與擴充彈性 (2025.06.14)
服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）意法半導體（STMicroelectronics）推出 STGAP4S 車用絕緣閘極驅動器，適用於 SiC …