半導體設備大廠應用材料宣布推出應用於65奈米及以下製程的化學氣相沉積（CVD）技術Producer HARP（high aspect ratio process；高縱深比填溝製程）系統；該系統技符合淺溝隔離層（Shallow Trench Isolation；STI）和前金屬介質沉積（Pre-Metal Dielectric；PMD）等製程設備所需之大於7:1高縱深比的填溝技術條件，在沉積薄膜時能引發矽片上的應力變化，增強電晶體效能。
應材表示，HARP製程是架構在該公司已量產證明的Producer平台上；Producer是應材已在業界推出超過750套的CVD系統。藉由創新的臭氧-四乙氧基矽烷（ozone-TEOS）製程化學，並配合高效能的新式反應室設計，使這套系統的生產力明顯優於傳統填溝技術。
應材副總裁暨介電系統與模組產品事業群總經理Farhad Moghadam表示，這套HARP系統可應用在65至45奈米以下世代製程，相較於其他填溝系統可減少15％的營運成本和50％的耗材成本，而有別於傳統技術的可調應力薄膜製程，能增強通道中的信號速度，改善電晶體的效能。
而因HARP系統是利用熱製程來作業，所有矽元件並無任何電漿損害，進而能改善系統可靠度。對前金屬介質沉積層而言，應用材料這套系統已展現其填溝技術實力，不但可用在小於10奈米技術，且熱預算能適用於先進材料，包括矽化鎳（NiSi）。
