DRAM市場短期難見曙光，廠商為對抗不景氣，只能拚命增加產出，並壓低生產成本，力晶23日表示，晶圓一廠運用0.18微米製程，微縮至0.16微米製程試產後，量率達到八成以上，並於本週起正式量產，將進一步使晶粒製造成本降低近20％；另一家DRAM廠茂德也將在年底跨入0.14微米製程，並試產0.11微米製程，可望大幅降低生產成本。
力晶半導體公司總經理蔡國智昨日表示，為提昇競爭力，進一步降低生產成本，力晶一廠自去年十一月即開始針對0.18微米製程微縮至相當於0.16微米製程計畫進行評估，今年第一季開始進行0.16微米製程微縮設計，整過微縮製程設計進行相當順利，第二季即已開始試產，由於已獲致相當滿意良率水準，在上週完成後續可靠度驗證後，本週即將開始大量生產，預計第四季，製程五成以上可轉換至0.16微米，根據試產結果，預估量產後良率將可達到八成以上。
而力晶技術合作母廠三菱與力晶，除了在0.18微米這一世代技術進行微縮，三菱也同時將0.15微米製程進一步微縮，未來晶圓二廠也將採用三菱0.15的微縮版本，進一步提昇力晶在DRAM產品獲利空間。
至於國內另一家卯起勁來拚產能的茂德，目前八吋廠悉數採用0.17微米製程，該公司計畫，也將在年底跨入0.14微米製程，並試產0.11微米製程，可望大幅降低生產成本。至於八月即將投片試產的十二吋廠，則將採用0.14微米製程切入。
