國際整流器公司 (IR) 宣布成功開發革命性氮化鎵 (GaN) 功率元件技術平台，能為客戶改進主要特定應用的優值 (FOM) ，使其較先進矽技術平台提升最多十分之一 ，讓客戶在適用於運算及通訊、汽車和家電等不同市場的終端應用能夠顯著提升效能，並減少能源消耗。這款GaN功率元件技術平台，是IR經過5年的時間，基於其專有矽上GaN磊晶技術進行開發研究的成果。
IR的GaN功率元件技術平台為功率轉換解決方案帶來革命性的改進。這項研究因有效引進IR 60年來在不同應用，包括AC-DC功率轉換、DC-DC功率轉換、馬達驅動、照明、高密度音效與汽車系統等功率轉換方面的專業知識，使系統方案產品陣營和相關的智慧財產 (IP) 遠超出先進的分立功率元件。
這款高吞吐量的150mm矽上GaN磊晶和相關的元件製造程序，能全面與IR具備成本效益的矽製造設施配合，為客戶提供世界級的商業可行性GaN功率元件製造平台。
IR總裁及CEO Oleg Khaykin表示：這種尖端的GaN技術平台和IP陣營，延續了IR於功率半導體元件的領導地位，並且引領功率轉換進入新時代。這種發展正好與我們致力協助客戶節省能源的核心使命一脈相承。我們相信這款新元件技術平台將會深深影響功率轉換市場，就如30多年前IR推出功率HEXFET時一樣。
IR將會於2008年11月11至14日在德國慕尼黑舉行的Electronica展覽會上，向OEM客戶展示數款嶄新GaN產品平台的原型。
