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IR堅固耐用100V FastIRFET PQFN 5×6功率MOSFET 為電訊電源應用提供基準效能

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國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出IRFH7185TRPbF 100V FastIRFET功率MOSFET,為電訊應用內的DC-DC電源提供基準效能。

IRFH7185TRPbF利用IR全新100V FastIRFET製程,提供基準的導通電阻閘極電荷品質因數 (Rds(on)*Qg figure of merit),以實現更高效率和功率密度,並且提高系統可靠性。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:「IRFH7185TRPbF提供極低導通電阻,加上閘極電荷比同類型元件顯著較低,所以從輕載到滿載都能達致高效能。新100V FastIRFET元件提高雪崩電流密度達20%,藉以為DC-DC電訊電源提供行業最堅固耐用的解決方案。」

IR FastIRFET元件可配合各種控制器或驅動器操作,從而使設計更靈活,更以小佔位面積實現更高電流、效率和頻率。IRFH7185TRPbF符合工業級標準及第一級濕度敏感度 (MSL1) 標準,並採用了5x6 PQFN行業標準封裝,備有不含鉛且符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 的環保物料清單。

封裝元件編號在25°C下最大Id在10Vgs下

典型/ 最高RDSon (m?)

在4.5V下典型QG (nC)在10Vgs下R*QG
PQFN 5×6IRFH7185TRPBF123A4.236151.2

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