國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出一系列新型的25V及30V N-通道溝道HEXFET功率MOSFET。它們針對同步降壓轉換器及電池保護增強了轉換效能，適用於消費者和網路方面的電腦運算應用。
這個新型的MOSFET系列通過IR得到肯定的矽技術，提供基準通態電阻（RDS(on)），並且改進了切換效能。新元件的低傳導損耗提高了全負載效率及溫度效能。同時，它們即使在輕負載下，低切換損耗也有助達到高效率。
IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示，這些新型MOSFET設有Power QFN封裝，比SO-8封裝提供更高的功率密度，同時又能夠保持同樣的引腳分布配置。新型的雙SO-8 MOSFET還容許『二對一』交換來減少元件數目，滿足不同應用的要求。
單個及雙N-通道MOSFET現在已開始供應。除了D-PAK、I-PAK和SO-8封裝之外，單個N-通道元件也為高量生產作出了最佳化，提供PQFN 5x6mm和3x3mm封裝。雙N-通道元件則採用SO-8封裝。新元件符合電子產品有害物質管制規定（RoHS）），更可以不含滷素。
