Magnachip半導體發布四款新型 MXT LV 金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）採用超短通道技術，擴展 Magnachip 用於行動裝置電池保護電路的第七代 MXT LV MOSFET 產品陣容。
超短溝道是Magnachip的最新設計技術，通過縮短源極和漏極之間的溝道長度來降低Ron（MOSFET在導通狀態操作期間的電阻）。 新型 MOSFET 的 Ron 降低 24%~40%，提高了電池性能，並且在電池充電或放電時功率損耗較低。此外，Magnachip提供產品應用規格和電池容量的定制設計服務，MOSFET的尺寸可分別減小5%至20%。
憑藉技術能力、靈活的設計和緊湊的尺寸選項，擴展的 MXT LV MOSFET 系列可滿足從可折疊手機到無線耳機等行動裝置的各種技術要求。
Magnachip執行長 YJ Kim 表示：「Magnachip今年迄今已發布五款用於電池保護電路的新型 MXT LV MOSFET。我們將繼續打造優質 MOSFET，為行動裝置提供出色的功效和性能，以鞏固在市場上的地位。」
