瑞薩電子近日宣佈，推出32款容許電壓為40及55伏特（V）之新型N通道功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效電晶體）。新款功率MOSFET包括採用小型HSON封裝的NP75N04YUK產品，安裝面積為現有TO-252封裝的一半，可處理75安培（A）的電流。
32種新款功率MOSFET均採用瑞薩電子新開發的ANL2製程，可使導通電阻降至最低並提供高速開關效能。相較於傳統的UMOS4製程，ANL2製程可提升約40%的品質因數（FOM）效能指數，相當於裝置導通電阻乘上閘極電荷。新款NP75N04YUK產品結合ANL2技術與小型HSON-8封裝，大小約為現有TO-252封裝的一半。這些將使NP75N04YUK產品最高可處理75安培的電流，並達到較低的3.3 mΩ的導通電阻。
使用新款功率MOSFET，客戶將可製作體積更小且效能更高的汽車控制單元。
