外電消息報導，美國矽谷一家新創非揮發性記憶體儲存技術公司於週二（5/19）宣佈，該公司開發出一種新的儲存用記憶體（Storage-class memories；SCM）技術，容量可達目前NAND Flash的4倍，並有望取代當前的快閃記憶體產品。
這家名為「統一半導體（Unity Semiconcuctor）」的公司表示，他們的研發出一種稱為「COMx」的儲存技術，能大幅提高記憶體的單位儲存密度，約為目前的NAND型快閃記憶體晶片的４倍，而儲存速度更可達到5倍到10倍之間。
Unity Semiconcuctor表示，新技術主要是利用帶電離子在特定材料之間的運動，來實現大量的資訊儲存容量，其儲存單元不像快閃記憶體需要採用電晶體（transistor），因此，在儲存密度上較快閃記憶體更具優勢。
Unity Semiconcuctor執行長Alan Niebel表示，透過這種技術，記憶體將可達成小體積、高密度及低成本的優勢。其最小的生產製程可達20nm以下，加上生產的體積密度較NAND快閃記憶體高4 bits/cell，因此，單位的成本也可降低。另外，該技術在讀取速度與耐用性上，都較NAND更佳，整體成本更具優勢。
Unity Semiconcuctor表示，該公司預計在2010年下半年，開始生產容量為64GB的新型記憶體，並計劃在2011年第二季投入量產。
