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東芝推出800V超結N溝道功率新MOSFET

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東芝公司(Toshiba)旗下儲存與電子元件解決方案公司宣布針對高效率電源推出具備改進的低導通電阻、高速開關的800V超結N溝道功率MOSFET。「DTMOS IV系列」的八款新MOSFET利用超結結構,與東芝之前的「π-MOSVIII系列」相比,其可將其單位面積導通電阻(RON x A)降低近79%。

該系列產品改進的高速開關還有助於提高使用該系列產品的晶片組的電源效率。這些MOSFET適用於工業電源,伺服器、筆記型電腦配接器和充電器以及行動裝置的備用電源以及LED照明燈具的電源。出貨即日啟動。

稀土棋局下的台灣解方:從供應鏈韌性看關鍵礦物合作新契機
特別企劃半導體

稀土棋局下的台灣解方:從供應鏈韌性看關鍵礦物合作新契機

稀土與關鍵礦物已成全球科技競爭與經濟安全的重要戰略資源。面對供應鏈高度集中與地緣風險升高,台灣如何透過國際合作、技術替代、戰略儲備與城市採礦,建立自主且具韌性的關鍵礦物供應體系?

稀土與關鍵礦物已成全球科技競爭與經濟安全的重要戰略資源。面對供應鏈高度集中與地緣風險升高,台灣如何透過國際合作、技術替代、戰略儲備與城市採礦,建立自主且具韌性的關鍵礦物供應體系?