英飛凌科技股份有限公司今日推出高效率、快速回復的 650V Rapid 1 與 Rapid 2 矽二極體系列。Rapid 二極體結合英飛凌在超薄晶圓製造、低耗損垂直結構的專業知識，加上獨特的元件設計，效能表現卓著。
全新的 Rapid 二極體系列，針對超快速 (ultrafast 與 hyperfast) 功率二極體市場之需求，補足了英飛凌現有的高功率 600V 與 650V 二極體產品中，碳化矽 (SiC) 二極體及射控二極體之空缺。新產品提供最高的效率、低電磁干擾(EMI)、超快速反向回復時間，更高的系統穩定性，同時具有更吸引人的性價比，專為切換頻率介於 18 kHz 至 100 kHz 之間的高效率應用所設計。
英飛凌 IGBT 功率分離式元件行銷協理 Roland Stele 表示：「新推出的 Rapid 超快速ultrafast 及 hyperfast 二極體，以英飛凌聞名的品質為基礎，提供優異的效率及可靠性，兼顧成本與效能。Rapid 二極體可搭配Cool-MOS? MOSFET 及 TRENCHSTOP? 5 IGBT 產品，進一步為客戶提供更完善的系統解決方案。」
Rapid 1 擁有最佳化的 VF
英飛凌 Rapid 1 二極體系列提供相對溫度穩定的 1.35V 順向電壓，確保最低的導通損失，及軟性回復，將 EMI 干擾降到最低。此裝置尤其適用於空調及洗衣機等大型家電常見的功因校正 (PFC) 拓樸，以及光伏逆變器內 18 kHz 至 40 kHz 切換頻率的升壓轉換。
Rapid 2 擁有最佳化的 Qrr 及 trr
Rapid 2 二極體系列是專為 40 kHz 至 100 kHz 切換頻率應用所設計，同時兼具低反向回復電荷 (Qrr) 及反向回復時間 (trr)。其電源開關的開關損耗可將逆向回復損失降到最低，進而將效率最大化。Rapid 2 是針對伺服器、通訊電源、電視與筆記型電腦電源供應器，以及焊接機具的 PFC 級所設計。Rapid 2 二極體能夠完美相容於英飛凌的 CoolMOS MOSFET 及 TRENCHSTO 5 等高速 IGBT。
