推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor），針對資訊網路、電信和工業應用推出新的高能效單N型通道功率MOSFET系列，進一步擴大其廣泛的產品陣容。
這些器件能提供低得令人難以置信的傳導電阻RDS（on）值，從而將傳導損耗降至最低並提升整體工作效能。它們還有低至2164皮法（pF）的門極電容（Ciss），以確保盡可能保持低驅動損耗。
安森美半導體新的NTMFS5C404NLT， NTMFS5C410NLT 和 NTMFS5C442NLT MOSFET額定擊穿電壓為40伏（V），最大傳導電阻值(Vgs為10 V時)分別為0.74毫歐、0.9毫歐和2.8毫歐，連續漏電流分別為352安（A）、315 A和127 A。與這些器件相輔相成的NTMFS5C604NL，NTMFS5C612NL 和 NTMFS5C646NL，額定擊穿電壓60 V，最高導通電阻分別為1.2毫歐、 1.5毫歐和 4.7毫歐，而相關的連續漏電流為287 A、 235 A 和 93 A。40 V和60 V的這兩種器件的額定工作接面溫度都高達攝氏175度，從而為工程師的設計提供更大的熱餘裕。安森美半導體將推出採用更多的電阻值和不同的封裝，如micro8FL、DPAK和TO220來擴大此產品線。
安森美半導體功率分立產品副總裁兼總經理Paul Leonard說：「OEM的工程團隊不斷致力於創建更高效能的電力系統設計，同時佔用更少用板空間。我們新加的器件擴大了廣泛的功率MOSFET產品陣容，為客戶提供高性能的器件，採用緊密的、高熱能效的封裝，幫助他們達到更高效能的設計目標。」
NTMFS5C404NL、 NTMFS5C410NL、 NTMFS5C442NL、 NTMFS5C604NL、NTMFS5C612NL和 NTMFS5C646NL都採用緊密的、符合RoHS的SO8FL (DFN-8)封裝。（編輯部陳復霞整理）
訪問安森美半導體於PCIM的展台-9號展館展台559
