功率半導體及管理方案領導廠商-國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出一款新型的20V DirectFET MOSFET同步降壓轉換器晶片組。IR表示，這對IRF6610和IRF6636小型罐式DirectFET MOSFET，性能可媲美一對SO-8 MOSFET，但體積卻減少了40%，最適用於對尺寸、效率和熱性能有重大要求的高頻負載點(Point-of-load，簡稱POL)設計。
IR台灣分公司總經理朱文義表示：「在12V電腦運算系統中，IRF6610和IRF6636晶片組最適用於可支援5V至1V的以下輸出電壓的高密度15A POL轉換器。以一個500kHz POL轉換器為例，若裝設了這款晶片組，便能在1.5V下提供15A輸出電流，展現大於88%的效率。」
IRF6610的閘電荷低至10nC，能把開關損耗減至最低，達到最佳的控制場效應管(FET)功能。IRF6636是一款多功能的DirectFET功率MOSFET，元件的通態電阻為4.5mOhm，閘電荷低至18nC。它可耦合IRF6610，成為專攻15A應用的同步場效應管；又可配合IRF6691組成控制場效應管，適用於每相位35A的多相位應用。IRF6636/IRF6691晶片能在POL模組等應用中體現更高密度，取代多達4個熱強化型SO-8 MOSFET元件。
IR指出，IR的專利DirectFET MOSFET封裝融合了一系列前所未見的新設計優點，而非目前標準的塑料分立封裝所能提供。當中的金屬罐狀結構可提供雙面冷卻，有效把驅動先進微處理器的高頻DC-DC降壓轉換器的電流處理能力提高1倍。此外，DirectFET封裝內的元件皆符合「電子產品有害物質限制指令」(RoHS)。
