聯電、台積電雙雄加速晶圓高階製程研發，聯電宣布率先導入無絡膜相位移光罩（Cr-less PSM）技術，成功量產90奈米製程，同時採購193nm光學掃描機，台積電也向設備大廠ASML採購193奈米浸潤式微影設備，發展65奈米製程。
經濟日報引述聯電資深副總暨中央研發部部長孫世偉說法表示，Cr-less PSM微影技術是一種解析度增強技術，聯電結合Cr-less PSM微影技術及193奈米光學掃描機，使得Cr-less PSM光罩微影技術跨越了實驗階段，驗證成為可量產的技術。
孫世偉進一步指出，聯電證明既有的193奈米光學掃描機，將可繼續被沿用在90奈米與以下製程。而新的Cr-less PSM微影技術利用石英取代鉻膜來定義圖案輪廓，增進了微影的解析度和微距控制，可改良微影線寬均勻度及線緣粗糙度的控制，將客戶的電路設計更正確地被複製在晶圓上。
台積電在65奈米製程則是捨棄157奈米乾式曝光機，選定193奈米濕式製程，已正式向ASML下單。根據該公司內部的評估，已經成熟的193奈米曝光機，改採濕式製程以後，將可以順利地到32奈米製程，台積電目前已經與設備廠商共同開發技術，預計2005年可以進入商業量產階段。
