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Nexperia新款1200 V SiC 蕭特基二極體適用於高功率密集基礎設施

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Nexperia宣布推出兩款1200V、20A碳化矽(SiC)蕭特基二極體—PSC20120J與PSC20120L,專為高功率密集型基礎設施設計,目標應用涵蓋AI伺服器叢集、電信設備與太陽能逆變器等對能效要求極高的電源系統。

新產品採用具備零恢復時間與溫度穩定性的先進設計,能提供優異的品質因數(Qc x Vf)與開關性能,即使在高電流與高速切換環境下也能保持穩定輸出。其內部採用MPS(PiN蕭特基)結構,具備高突波耐受力(IFSM),減少額外保護電路需求,進一步簡化系統設計並降低成本。

封裝方面,PSC20120J為表面貼裝型D2PAK R2P(TO-263-2),PSC20120L則為通孔型TO247 R2P(TO-247-2),兩者皆具備高熱穩定性,適用於高達175°C的嚴苛高壓工作環境。Nexperia此系列產品將成為實現AI與高能耗系統高效能電源轉換的關鍵元件,助力工程師打造更小型、高效與可靠的電力設計。

稀土棋局下的台灣解方:從供應鏈韌性看關鍵礦物合作新契機
特別企劃半導體

稀土棋局下的台灣解方:從供應鏈韌性看關鍵礦物合作新契機

稀土與關鍵礦物已成全球科技競爭與經濟安全的重要戰略資源。面對供應鏈高度集中與地緣風險升高,台灣如何透過國際合作、技術替代、戰略儲備與城市採礦,建立自主且具韌性的關鍵礦物供應體系?

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