意法半導體（STMicroelectronics；ST）新推出兩款雙通道電氣隔離IGBT和碳化矽（SiC）MOSFET閘極驅動器，能在高壓電力轉換和工業應用中節省空間，簡化SiC和IGBT開關電路設計。
IGBT驅動器STGAP2HD和SiC MOSFET驅動器STGAP2SICD利用意法半導體最新的電氣隔離技術，並採用SO-36W寬體封裝，可承受6kV瞬態電壓。此外，+/-100V/ns dv/dt瞬態耐量可防止在高電噪聲運作環境下產生雜散導通現象。
兩款驅動器皆提供最高4A的閘極控制訊號，雙輸出腳位為閘極驅動帶來更多靈活性，支援導通和關斷時間個別調整。主動米勒鉗制功能可防止閘極在半橋拓撲快速換向過程中出現尖峰電壓。電路保護功能包括過熱保護、看門狗安全操作機制，每個通道都有欠壓鎖定（Under-Voltage Lockout；UVLO）機制，防止驅動器在危險的低效模式下啟動。依照SiC MOSFET的技術要求，STGAP2SICD提高UVLO的閾值電壓，能為電晶體優化效能。
每款元件都有一個在雙低邊不對稱半橋應用中同時開通兩個通道的iLOCK腳位，以及防止在傳統半橋電路中出現直通電流的互鎖保護機制。這兩款驅動器在高壓軌上的額定電壓皆高達1200V，輸入至輸出傳播時間為75ns，提高PWM控制精度。
意法半導體新款雙通道電流隔離閘極驅動器具有專用的關斷腳位、制動腳位與省電待機腳位，主要應用於電源、驅動器、逆變器、焊接機和充電器。此外，輸入腳位可與最低3.3V的TTL和CMOS邏輯訊號相容，以簡化驅動器與主微控制器或DSP處理器的連接。
STGAP2HD和STGAP2SICD現已量產。EVALSTGAP2HDM和EVALSTGAP2SICD展示板也已上市，用於快速評估驅動器在驅動半橋功率級時的驅動特性。
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