搜尋

會員登入

搜尋

導覽

會員
廣告
廣告

英飛凌推出新一代氮化鎵功率分立元件

瀏覽次數:2442

最新一代CoolGaN電晶體實現了現有平台的快速重新設計。新元件改進了性能指標,確保為重點應用帶來具有競爭力的切換性能。與主要同類產品和英飛凌之前的產品系列相比,CoolGaN 650 V G5電晶體輸出電容中儲存的能量(Eoss)降低了多達50%,漏源電荷(Qoss)和閘極電荷(Qg)均減少了多達 60%。憑藉這些特性,新元件在硬切換和軟切換應用中都具有出色的效率。與傳統的半導體技術相比,其功率損耗大幅降低,根據具體使用情況可降低 20%-60%。

該新產品系列的適用範圍廣泛,包括USB-C適配器和充電器、照明、電視、資料中心、電信整流器等消費和工業交換式電源(SMPS)、再生能源,以及家用電器中的馬達驅動器。

稀土棋局下的台灣解方:從供應鏈韌性看關鍵礦物合作新契機
特別企劃半導體

稀土棋局下的台灣解方:從供應鏈韌性看關鍵礦物合作新契機

稀土與關鍵礦物已成全球科技競爭與經濟安全的重要戰略資源。面對供應鏈高度集中與地緣風險升高,台灣如何透過國際合作、技術替代、戰略儲備與城市採礦,建立自主且具韌性的關鍵礦物供應體系?

稀土與關鍵礦物已成全球科技競爭與經濟安全的重要戰略資源。面對供應鏈高度集中與地緣風險升高,台灣如何透過國際合作、技術替代、戰略儲備與城市採礦,建立自主且具韌性的關鍵礦物供應體系?

關鍵字:電晶體