AI晶片供應鏈的在地化，正從GPU與伺服器進一步延伸至高頻寬記憶體（HBM）。SK hynix於美國印第安納州West Lafayette正式啟動先進封裝基地，投資逾40億美元，規畫2029年下半年開始量產下一代HBM，並且明確將HBM4E列為首波產品，成為SK hynix首座美國HBM生產據點。
HBM與傳統DRAM最大的技術差異，在於透過TSV等技術將多顆DRAM垂直堆疊，再經先進封裝與AI GPU／ASIC整合，以提高記憶體頻寬並降低資料搬移功耗。隨AI模型規模與推論Token量增加，GPU效能已愈來愈受到記憶體頻寬與容量限制，使HBM由記憶體零組件躍升為AI加速器核心架構之一。
SK hynix今年6月已送樣12層HBM4E，下一代產品持續提高頻寬與能源效率；該公司表示，印第安納基地未來年產能將達數十萬片晶圓對應規模，並與Purdue University合作建立先進封裝研發測試平台。
SK海力士HBM封裝正式赴美，AI記憶體供應鏈走向在地化。
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值得注意的是，新廠主要負責HBM先進封裝，而非DRAM晶圓前段製造。這代表SK hynix並非單純複製韓國製造基地，而是把最接近AI晶片客戶的後段製程移往美國，縮短HBM與GPU、ASIC及AI伺服器生態系之間的距離。此一布局反映AI半導體供應鏈正在重新分工。SK hynix預計與逾100家合作夥伴建立當地生態系，並創造工作機會。
SK hynix把HBM先進封裝帶到美國、Kioxia與Sandisk大規模擴增3D NAND，中國設備與封裝投資同步增加，顯示AI供應鏈價值已從GPU延伸到HBM、Enterprise SSD、封裝與設備。對台灣而言，後續觀察重點不再只是HBM產能，而是面臨整合要如何重新配置。當AI記憶體後段製程向美國靠攏，台灣CoWoS、封裝設備、測試與AI伺服器ODM如何與美國在地產能銜接，將成為下一階段AI供應鏈的重要課題。
