隨著AI資料中心與高效能運算（HPC）規模持續擴大，晶片間高速資料傳輸的功耗與頻寬瓶頸日益凸顯，光電融合技術正由零組件研發邁向量產製程整合。日本NTT、NTT Innovative Devices、Japan Semiconductor、古河電工及新光電氣工業宣布，共同推動光小晶片（Chiplet）製造技術開發，計畫獲日本新能源產業技術綜合開發機構（NEDO）採納，目標將製造生產效率提升至現行研發階段的10倍以上。
日本五家企業推進光晶片量產技術，以及AI光互連加速製程整合。
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此次合作由NTT Innovative Devices主導研發，NTT擔任顧問，整合矽光子、化合物半導體、光學連接與先進封裝技術，建立涵蓋光半導體製造、測試、封裝及製程檢測的試驗產線，為後續商業化量產建立技術基礎。
其中，NTT Innovative Devices負責光Chiplet製造、測試與封裝技術；Japan Semiconductor開發適用異質材料整合的矽光子量產製程；古河電工聚焦化合物半導體光元件；新光電氣則負責封裝製程與線上檢測技術。
光Chiplet透過光訊號連接半導體晶片與封裝，可望降低高速電訊號傳輸造成的能耗與訊號損失。隨AI加速器朝多晶片與高密度封裝發展，光源、光調變器、光纖耦合及封裝對位精度，將成為影響系統頻寬與可靠度的重要因素。
這項計畫也反映AI基礎設施升級正帶動先進封裝與光學製造設備整合。未來除傳輸性能外，光Chiplet仍須克服光學耦合良率、熱穩定性、封裝成本及大量測試等量產挑戰，10倍生產效率目前仍屬研發目標。
預估光Chiplet量產將牽動矽光子晶片、光纖陣列、精密對位設備、封裝載板及光電測試技術。隨著光互連逐步延伸至AI運算晶片周邊，相關技術亦可與高速PCB、先進封裝及液冷散熱形成跨領域整合，成為下一階段AI硬體供應鏈的重要發展方向。
