AI算力拉動重電超級循環 變壓器成資料中心新瓶頸 (2026.09.16)
AI資料中心持續擴建，算力競爭正沿著電力路徑一路往上游延伸。韓國曉星重工宣布與兩家美國大型科技企業簽署總額3,865億韓元超高壓變壓器合約，設備將部署於美國南、北部新建AI資料中心，包括2,200億韓元765kV及1,665億韓元345kV…
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意法半導體：AI時代需從「系統端與全生命週期」重構能源效率 (2026.09.10)
資料中心在運算規模與功率密度上急速飆升，能源消耗與散熱瓶頸已成為不可忽視的工程挑戰。在 SEMICON Taiwan 2026 期間，意法半導體（STMicroelectronics）亞太區永續專案負責人 Edoardo Auteri 直言…
AI供電邁向800V SiC、GaN搶進資料中心 (2026.09.10)
AI基礎建設競賽逐漸從GPU算力延伸至電力轉換。隨著AI伺服器功率密度提高，傳統資料中心供電面臨轉換損耗、電流與散熱壓力，800V高壓直流（HVDC）、固態變壓器（SST）與寬能隙功率半導體逐漸形成新一代供電架構，SiC、GaN也從電動車與…
安森美：攻克AI資料中心電力挑戰 固態變壓器嶄露頭角 (2026.09.09)
人工智慧的快速發展使得資料中心電力基礎設施面臨急遽攀升的供電需求。 傳統配電系統以 400V 交流母線為基礎，並需經過多個轉換級降至低壓伺服器供電，正日益承受壓力。 為應對這些挑戰，產業正逐步轉向 800V 高壓直流 （HVDC） 架構。 …
AI伺服器跨過54V極限 800V重塑資料中心供電 (2026.09.08)
AI算力競賽正從GPU延伸至電力基礎設施。隨著下一代AI伺服器機櫃功率密度快速提高，既有54V直流供電面臨電流過大、銅材與線纜增加、轉換損耗及機櫃空間等瓶頸，800V高壓直流（HVDC）與固態變壓器（SST）逐漸成為AI資料中心下一波技術競…
英飛凌收購C2i 擴展AI資料中心電源管理創新能力 (2026.08.26)
英飛凌科技宣佈收購總部位於班加羅爾的 C2i Semiconductors。C2i Semiconductors 是一家專注於為 AI 資料中心應用提供軟體定義多相控制器及智慧功率級的技術公司。C2i Semiconductors的技術讓英…
AI資料中心不只搶GPU更搶電 台灣AIDC進入區域電網與直供配置 (2026.08.24)
未來可研議由電廠拉設專線直接供應AIDC，再由業者自主管理，距離、成本與建置時間則交由市場機制決定；換言之，「離電源愈近」可能成為下一波大型AI機房選址的重要條件。…
AI基建競爭轉向「算力＋電力」 低碳能源成AI資料中心下一道門檻 (2026.08.21)
生成式AI快速擴張，不只帶動GPU、伺服器與液冷需求，也正在形成一場「算力與能源的雙重循環」。當AI協助電網預測負載、調度儲能與提高能源效率，能源系統反過來又成為支撐AI成長的底層資源。台灣擁有全球重要的半導體、AI伺服器及ICT供應鏈，但…
AI伺服器推升高壓BBU需求 新唐導入菊花鏈技術強化電池監測 (2026.08.19)
生成式AI帶動資料中心運算密度與伺服器功耗快速攀升，也使得備援電源架構朝高電壓、高效率與高可靠度發展。新唐科技針對AI伺服器電池備援單元（Battery Backup Unit, BBU）推出16串電池監測IC--「KA49703A」與「K…
英飛凌首款針對AI資料中心HVDC架構的24 kW SiC BBU參考設計問世 (2026.08.12)
英飛凌科技推出新款 24 kW 電池備份單元（BBU）DC-DC 參考設計。其專為AI資料中心的高壓直流母線架構而設計，是業內首款可直接在電池組與 800 V 直流母線之間運行的解決方案，採用了 650 V 和 1200 V 碳化矽（SiC…
Power Integrations發表2200V GaN技術 拓展高壓電力系統應用 (2026.08.07)
Power Integrations（PI）宣布推出 2200 V PowiGaN 氮化鎵技術。該技術提升了商用 GaN 元件的電壓等級，使 GaN 技術可應用於過往主要由碳化矽（SiC）主導的高壓領域，提供相關系統在功率密度、效率與架構設…
AI業務強勁推升Q3營收 英飛凌看好Q4營收與利潤率成長 (2026.08.05)
英飛凌科技（Infineon Technologies）公布 2026 會計年度第三季（2026 年 4 月至 6 月）財務報告。受惠於AI資料中心電源解決方案的需求持續爆發，英飛凌第三季營收創下歷史新高，官方更預期第四季營收將大幅成長約 …
英飛凌首款CoolSiC G2技術碳化矽雙向開關問世 (2026.07.23)
英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出基於成熟可靠750V CoolSiC G2技術平台打造的碳化矽（SiC）雙向開關（BDS）。該產品採用垂直整合雙晶片共汲極設計，採用頂部散熱Q-DPAK封裝，將…
能源自治將如何改變產業與生活？ (2026.07.08)
在2026年的今天，全球能源版圖正經歷一場自愛迪生發明電網以來，最深刻的典範轉移—「能源自治（Energy Autonomy）」。…
英飛凌獲Gartner評選為AI資料中心電源半導體領域最具競爭力公司 (2026.06.30)
根據 Gartner最新報告《AI 供應商競賽：英飛凌成為 AI 資料中心電源半導體領域的標竿公司》，Gartner檢視了快速演進的 AI 資料中心功率半導體市場，並將英飛凌科技評選為該領域「最具競爭力的公司」。Gartner 指出，英飛凌…
英飛凌首款碳化矽功率模組可在205℃運作 針對電動汽車逆變器設計 (2026.06.18)
英飛凌科技在電動汽車逆變器功率模組領域完成一個新的里程碑：HybridPACK Drive 系列正式推出全新 1300 V 碳化矽（SiC）模組，該模組能夠在高達 205℃的溫度下持續運行。市面上現有的同類設計通常最高僅允許在 175℃ 下…
GaN與SiC如何解開AI能源封印？ (2026.06.10)
在AI這個由矽晶片與光纖交織成的虛擬未來裡，人類文明的瘋狂演進，最終依賴的依然是我們管理電子的能力。每一分轉換效率的提升，每一微秒的故障隔離，背後都是無數工程師與半導體材料的生死搏鬥。…
ROHM SiC MOSFET應用於HVDC化加速發展的AI伺服器電源BBU (2026.06.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）的750V耐壓SiC MOSFET已被應用於AI伺服器電源BBU（備用電池單元）中。隨著生成式AI的普及，AI伺服器電源正加速朝向更高壓及HVDC（高壓直流供電）架構演進，在此背景下，ROHM的Si…
12V極限與48V革命的必然性 (2026.06.08)
AI功耗大爆炸。這是一場人類在追求極致智慧的道路上，與物理學、材料學進行的正面遭遇戰。…
台達首度亮相預製型模組化AI資料中心 縮短60%建置時間 (2026.06.03)
聚焦AI高速發展下，為滿足高能效、高功率、高密度的迫切需求，台達近日於COMPUTEX 2026，以「Superior Efficiency, Shaping Sustainable AI」為主題，首度亮相預製型模組化AI資料中心，因應企業…