英飛凌新款高壓熱插拔控制器強化800V伺服器供電保護 (2026.11.02)
AI資料中心機櫃功率持續攀升,供電架構朝高壓直流發展,電源模組帶電接入時的浪湧控制與故障隔離,也成為系統可靠性的關鍵。英飛凌推出高壓熱插拔控制器XDP8HD40S-1,瞄準±400V及800VDC伺服器架構,整合數位電源路徑保護與監測,擴充…
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AI資料中心機櫃功率持續攀升,供電架構朝高壓直流發展,電源模組帶電接入時的浪湧控制與故障隔離,也成為系統可靠性的關鍵。英飛凌推出高壓熱插拔控制器XDP8HD40S-1,瞄準±400V及800VDC伺服器架構,整合數位電源路徑保護與監測,擴充…
英飛凌科技與SolarEdge Technologies公司擴大雙方合作,共同推進針對AI及超大規模資料中心高壓直流配電的固態斷路器(SSCB)技術發展。本次合作致力於解決800 VDC架構發展的關鍵挑戰:隨著基礎設施功率密度持續提升,系統…
AI資料中心競爭正從GPU與伺服器供應,進一步轉向電力取得速度。日本最大發電業者JERA攜手Dell Technologies及英國AI基礎設施開發商RHAELM,規劃在千葉火力發電廠旁興建400MW級超大規模AI資料中心,總投資預計超過1…
讓電力與冷卻從設計初期就共同最佳化AI資料中心下一場工程變革,可能不是單純導入液冷,而是。美的樓宇科技(Midea Building Technologies)29日在新加坡Data Centre World Asia展示功率冷卻超融合(P…
根據經濟部統計顯示,8月工業生產指數年增23.47%,製造業增加24.61%;其中電子零組件業年增21.68%,積體電路增加24.24%,電腦、電子產品及光學製品業更年增95.72%。主要動能來自AI與雲端資料服務需求,帶動伺服器、交換器、…
AI伺服器功率密度持續提高,供應鏈焦點正從電源架與電源供應器,進一步下沉至MOSFET、保護元件與電源測試設備。台灣功率半導體業者近期觀察到AI伺服器需求增加,加上8吋晶圓產能重新配置,使MOSFET與電源保護元件供給趨緊,部分非合約產品甚…
AI資料中心持續擴建,算力競爭正沿著電力路徑一路往上游延伸。韓國曉星重工宣布與兩家美國大型科技企業簽署總額3,865億韓元超高壓變壓器合約,設備將部署於美國南、北部新建AI資料中心,包括2,200億韓元765kV及1,665億韓元345kV…
資料中心在運算規模與功率密度上急速飆升,能源消耗與散熱瓶頸已成為不可忽視的工程挑戰。在 SEMICON Taiwan 2026 期間,意法半導體(STMicroelectronics)亞太區永續專案負責人 Edoardo Auteri 直言…
AI基礎建設競賽逐漸從GPU算力延伸至電力轉換。隨著AI伺服器功率密度提高,傳統資料中心供電面臨轉換損耗、電流與散熱壓力,800V高壓直流(HVDC)、固態變壓器(SST)與寬能隙功率半導體逐漸形成新一代供電架構,SiC、GaN也從電動車與…
人工智慧的快速發展使得資料中心電力基礎設施面臨急遽攀升的供電需求。 傳統配電系統以 400V 交流母線為基礎,並需經過多個轉換級降至低壓伺服器供電,正日益承受壓力。 為應對這些挑戰,產業正逐步轉向 800V 高壓直流 (HVDC) 架構。 …
AI算力競賽正從GPU延伸至電力基礎設施。隨著下一代AI伺服器機櫃功率密度快速提高,既有54V直流供電面臨電流過大、銅材與線纜增加、轉換損耗及機櫃空間等瓶頸,800V高壓直流(HVDC)與固態變壓器(SST)逐漸成為AI資料中心下一波技術競…
英飛凌科技宣佈收購總部位於班加羅爾的 C2i Semiconductors。C2i Semiconductors 是一家專注於為 AI 資料中心應用提供軟體定義多相控制器及智慧功率級的技術公司。C2i Semiconductors的技術讓英…
未來可研議由電廠拉設專線直接供應AIDC,再由業者自主管理,距離、成本與建置時間則交由市場機制決定;換言之,「離電源愈近」可能成為下一波大型AI機房選址的重要條件。…
生成式AI快速擴張,不只帶動GPU、伺服器與液冷需求,也正在形成一場「算力與能源的雙重循環」。當AI協助電網預測負載、調度儲能與提高能源效率,能源系統反過來又成為支撐AI成長的底層資源。台灣擁有全球重要的半導體、AI伺服器及ICT供應鏈,但…
生成式AI帶動資料中心運算密度與伺服器功耗快速攀升,也使得備援電源架構朝高電壓、高效率與高可靠度發展。新唐科技針對AI伺服器電池備援單元(Battery Backup Unit, BBU)推出16串電池監測IC--「KA49703A」與「K…
英飛凌科技推出新款 24 kW 電池備份單元(BBU)DC-DC 參考設計。其專為AI資料中心的高壓直流母線架構而設計,是業內首款可直接在電池組與 800 V 直流母線之間運行的解決方案,採用了 650 V 和 1200 V 碳化矽(SiC…
Power Integrations(PI)宣布推出 2200 V PowiGaN 氮化鎵技術。該技術提升了商用 GaN 元件的電壓等級,使 GaN 技術可應用於過往主要由碳化矽(SiC)主導的高壓領域,提供相關系統在功率密度、效率與架構設…
英飛凌科技(Infineon Technologies)公布 2026 會計年度第三季(2026 年 4 月至 6 月)財務報告。受惠於AI資料中心電源解決方案的需求持續爆發,英飛凌第三季營收創下歷史新高,官方更預期第四季營收將大幅成長約 …
英飛凌科技股份有限公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出基於成熟可靠750V CoolSiC G2技術平台打造的碳化矽(SiC)雙向開關(BDS)。該產品採用垂直整合雙晶片共汲極設計,採用頂部散熱Q-DPAK封裝,將…
在2026年的今天,全球能源版圖正經歷一場自愛迪生發明電網以來,最深刻的典範轉移—「能源自治(Energy Autonomy)」。…