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力積電攜手法國CEA機構 打造整合RISC-V與矽光子3D堆疊AI晶片

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力積電(PSMC)宣佈,將與法國原子能署(CEA)旗下兩大研究機構CEA-Leti與CEA-List展開戰略合作。雙方將結合RISC-V架構與Micro LED矽光子技術,導入力積電現有的3D堆疊與中介層(Interposer)平台,為次世代AI系統提供具備高頻寬通訊與高效能運算的解決方案。

CEA-List數位IC設計部副負責人Olivier Thomas指出,RISC-V結合了開放性、靈活性與成本效益,正改變處理器設計。其可客製化的特性允許工業夥伴開發量身定制的方案,此次合作將為客戶提供符合效能與功耗目標的客製化運算平台。

在技術細節方面,Micro LED被視為推動光通訊吞吐量的核心。CEA-Leti執行長Sebastien Dauve強調,藉由低功耗氮化鎵(GaN)LED方案,Micro LED技術將能大幅提升數據傳輸效率。

力積電技術長張守仁博士表示,這次合作大幅豐富了力積電的3D堆疊與中介層技術藍圖。藉由結合CEA-List的高效能RISC-V運算IP、CEA-Leti的高頻寬矽光子小晶片(Chiplet)通訊技術,以及力積電自身的製程實力,力積電將能為次世代AI應用客戶提供更先進的晶圓代工服務。

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不斷發展演進的藍牙技術已成為世界上應用最廣泛的無線標準,每年的產品出貨量超過50億件。

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關鍵字:矽光子