貿澤即日起供應全新Vishay功率模組 鎖定48V輕型電動車 (2026.11.04)
隨著輕型電動車與輕油電混合車朝向高效率、小型化發展,48V動力系統對功率元件的整合度、散熱與可靠性要求更高。貿澤電子即日起供應Vishay Intertechnology的VS-HOT200C080功率MOSFET模組,主攻輕型電動車牽引逆…
搜尋
隨著輕型電動車與輕油電混合車朝向高效率、小型化發展,48V動力系統對功率元件的整合度、散熱與可靠性要求更高。貿澤電子即日起供應Vishay Intertechnology的VS-HOT200C080功率MOSFET模組,主攻輕型電動車牽引逆…
2.5D/3D 先進封裝已成為效能提升的主流技術路線,而封裝結構越精密複雜,所需檢測維度越高。…
隨著人工智慧驅動的電力需求在全球加速增長,公用事業公司和能源供應商面臨著更高效地儲存和輸送電能的壓力。電池儲能系統(BESS)供應商正在尋求先進的電源轉換技術,以提升性能和系統經濟性。為滿足這些需求,陽光電源(SUNGROW)在其 POWE…
英飛凌科技宣佈,將為智慧動力管理公司伊頓(Eaton)提供碳化矽(SiC)功率元件,用於支援其中壓固態變壓器(MVSST)2.0 平台,該平台主要針對亞太(APAC)以及歐洲、中東和非洲(EMEA)市場。雙方攜手合作,旨在提升AI資料中心與…
AI基礎建設競賽逐漸從GPU算力延伸至電力轉換。隨著AI伺服器功率密度提高,傳統資料中心供電面臨轉換損耗、電流與散熱壓力,800V高壓直流(HVDC)、固態變壓器(SST)與寬能隙功率半導體逐漸形成新一代供電架構,SiC、GaN也從電動車與…
人工智慧的快速發展使得資料中心電力基礎設施面臨急遽攀升的供電需求。 傳統配電系統以 400V 交流母線為基礎,並需經過多個轉換級降至低壓伺服器供電,正日益承受壓力。 為應對這些挑戰,產業正逐步轉向 800V 高壓直流 (HVDC) 架構。 …
當AOI從規則式比對進入AI時代,競爭焦點也因此由「檢出率」移向「意義建構能力」。…
英飛凌科技在電動汽車逆變器功率模組領域完成一個新的里程碑:HybridPACK Drive 系列正式推出全新 1300 V 碳化矽(SiC)模組,該模組能夠在高達 205℃的溫度下持續運行。市面上現有的同類設計通常最高僅允許在 175℃ 下…
英飛凌科技與西門子開展合作,共同提升資料中心、生產設施及電池儲能系統的電氣保護水準,保障運行可靠性。合作內容包括英飛凌將向西門子供應碳化矽(SiC)功率模組,用於西門子的SENTRON 3QD2半導體斷路器。這將提升西門子斷路器保護解決方案…
Microchip Technology今日宣布推出全新 3.3 kV HV-D3 mSiC 功率模組,專為加速 AI 超大規模資料中心與其他高電壓電力應用導入固態變壓器(Solid-State Transformer, SST)而設計。新…
半導體製造商ROHM(總公司:日本京都市)在官網上發佈了根據模擬軟體PLECS*開發的模擬工具「ROHM PLECS Simulator」, 該工具可在線上高速模擬ROHM功率元件的工作情況,非常適合電力電子電路的設計人員和系統設計人員使用…
無人機市場的快速增長需要先進的動力系統來提供最佳效能。更長的續航里程、運行時間和更大的有效載荷可實現更多的功能和創新機會。 商用無人機正在規劃的新應用需要更多功能,而功率通常是其設計的一個限制因素。Vicor 高密度模組化電源轉換對需要靈活…
在代理式AI發展如火如荼的新時代,全球對算力的需求正以倍速增加,這股力量也直接拉升了資料中心的能耗基準,傳統的電力架構已難以支撐未來的AI算力需求。 英飛凌(Infineon)的技術專家們一致指出:要解開這場能源枷鎖,核心關鍵在於從電網到處…
Microchip Technology今日宣布推出 BZPACK mSiC 功率模組,專為符合嚴格的高濕度、高電壓、高溫反向偏壓(High Humidity High Voltage High Temperature Reverse Bi…
Microchip Technology今日宣布推出 BZPACK mSiC 功率模組,專為符合嚴格的高濕度、高電壓、高溫反向偏壓(High Humidity High Voltage High Temperature Reverse Bi…
受惠於純電動車(BEV)銷量持續成長,根據TrendForce調查2025年Q4全球電動車牽引逆變器(Traction Inverter)市場裝機量攀升至965萬台左右,創近2年新高,顯示電動化趨勢與單車電驅系統搭載率正持續提高。 相較於2…
半導體製造商ROHM(總公司:日本京都市)在官網發佈了搭載EcoSiC品牌旗下SiC塑封型模組「HSDIP20」、「DOT-247」、「TRCDRIVE pack」的三相逆變器電路參考設計「REF68005」、「REF68006」及「REF…
迎合AI基礎建設與電動車創造龐大能源需求,工研院近期參與日本國際電子製造關連展(NEPCON JAPAN),便以「車用碳化矽技術解決方案」、「直流電網技術解決方案」及「氮化鎵元件整合封裝解決方案」3大主題,展示逾14項前瞻技術成果,並攜手台…
在 AI、高效能運算與電動化浪潮持續推升半導體角色的當下,意法半導體(STMicroelectronics)在台北舉辦「ST Taiwan Techday」,以「Technology Starts with You(科技始之於你)」為主題,…
NTT研究團隊成功研發全球首個以氮化鋁(Aluminum Nitride, AlN)為基礎的高頻晶體管。這款 AlN 高頻晶體管能在極高頻率下進行無線訊號放大,包括支援毫米波(mmWave)頻段,使其在後 5G、6G、衛星通訊以及新世代無線…