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搜尋「多重曝光技術」,共 5

在美國持續擴大晶片出口管制、荷蘭加強ASML設備出口限制的壓力下,中國大陸正將光刻機列為半導體產業「卡脖子」環節的首要突破點。2025年,中國光刻技術的進展,特別是193奈米ArF沉浸式DUV機種的開發,成為全球關注焦點。 根據產業消息,中

美光科技宣布,開始為特定智慧型手機製造商與晶片組合作夥伴提供 1β(1-beta)DRAM 技術的驗證樣品,全球最先進的 DRAM 製程節點 1β 的量產全面就緒。此新世代製程技術將率先用在美光的 LPDDR5X 行動記憶體上,最高速度來到

7納米製程節點將是半導體廠推進摩爾定律(Moore’s Law)的下一重要關卡。半導體進入7納米節點後,製程將面臨更嚴峻的挑戰, 不僅要克服晶圓刻蝕方面、熱、靜電放電和電磁干擾等物理效應,同時要讓信號通過狹小的線也需要更大的電力,這讓晶片設

盛夏八月,一年一度的CDNLIVE假新竹的國賓大飯店盛大舉行,今年的與會人數逼近800大關,再次打破了歷年的記錄。