台灣強化半導體供應鏈資安 設備驗證與OT防護成關鍵 (2026.11.05)
半導體產業高度自動化，晶圓製造、先進封裝與廠務管理系統日益依賴跨設備資料交換及遠端維護，使得資安風險由企業資訊系統延伸至生產設備與供應鏈。數位發展部資通安全署近日舉辦「2026前瞻資安探索會議」，聚焦國家資安治理、關鍵基礎設施防護及供應鏈安…
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韓國擴大半導體基礎建設 電力與用水設備成產業升級關鍵 (2026.11.03)
面對全球半導體產業競爭及先進製程持續升級，韓國政府正將晶片研發、製造聚落與能源基礎設施納入整體產業布局。韓國總統李在明11月2日於國會發表2027年度預算演說，提出總規模820.9兆韓元的預算案，其中規劃投入21.3兆韓元推動人工智慧及半導…
2035年半導體用電量倍增 GESA聚焦能源韌性與供需協作 (2026.10.29)
AI與半導體產業高速成長，帶動全球資料中心加速擴建，電力需求持續攀升。預估2026年全球資料中心電力需求容量將達161 GW，年增約31%。隨著AI算力需求激增、半導體產能持續擴張，穩定供電與能源韌性已不僅是高科技產業維持營運的基本條件，更…
打造在地化供應中心 永光化學搶佔半導體材料藍海 (2026.10.29)
2026 年，波斯灣動盪與荷莫茲海峽封鎖危機，讓全球產業上游與中東能源、電子化學材料之間的脆弱紐帶無所遁形。對佔據全球先進制程關鍵地位的臺灣半導體產業而言，這場危機促使業界重新審視「供應鏈多維度韌性」與「在地化供應」的重要性；國際電子化學大…
國研院攜手汎銓突破低溫鍍膜 強化先進微影分析 (2026.10.27)
先進半導體微影持續微縮，奈米結構能否在檢測過程中維持完整，成為材料開發與製程驗證的重要關卡。國研院國儀中心攜手汎銓科技，開發低於100℃的原子層沉積（ALD）鍍膜技術，在高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）微影使用的金屬氧化物光阻（…
英飛凌將於歐洲設立12吋晶圓氮化鎵功率半導體大規模量產廠 (2026.10.27)
英飛凌科技將在歐洲設立全球首座採用 12 吋 (300 毫米) 晶圓生產新一代氮化鎵（GaN）功率半導體的大規模量產製造廠。作為該計畫的一部分，英飛凌將在 2034 年前，投資約 11 億歐元於奧地利菲拉赫（Villach）廠區的既有無塵室…
NVIDIA擴充台日韓半導體供應鏈 載板、封裝與CPO同步升級 (2026.10.22)
AI基礎設施建置持續擴大，半導體供應鏈競爭由GPU晶片延伸至IC載板、先進封裝、測試及光學互連。輝達（NVIDIA）宣布攜手日本揖斐電（Ibiden）、韓國三星電機、台灣欣興電子、京元電子、矽品精密及Amkor ，AI晶片供應鏈擴充跨國製造…
Nikon開發0.5微米曝光設備 推進面板級先進封裝 (2026.10.21)
AI晶片與高效能運算需求推動半導體封裝朝大型化、高密度與異質整合發展，重布線層（RDL）的線路精度與製造效率，已成為先進封裝設備升級的關鍵。日本Nikon啟動新一代數位曝光系統開發計畫，獲日本新能源產業技術綜合開發機構（NEDO）選定，將挑…
從單機走向全球設備生態系 (2026.10.20)
半導體設備是台灣產業鏈最難處理的一道題。晶圓製造與封裝測試已居全球要角，設備市場卻仍由少數跨國企業掌握；只要以「國產替代」作為衡量標準，討論很容易落入兩個極端：一端認為台灣應全面自製，另一端則認定技術壁壘太高，只能長期依賴進口。 兩種看法都…
先進封裝打開設備新戰場 (2026.10.20)
AI把半導體競爭推向一個新的分界。過去業界習慣把先進製程理解為更小的電晶體、更多的曝光層數，今天的系統效能愈來愈取決於GPU、AI ASIC、HBM與各類Chiplet如何被連接、供電、散熱與測試。封裝不再只是晶圓完成後的保護與接腳，而是系…
機器人先要看懂世界 (2026.10.20)
當機器人離開圍籬，走進醫院或走廊、商場與家庭，它首先面對的問題，不是能不能辨識一張人臉，而是能不能知道自己站在哪裡、對方正在往哪裡走，以及眼前看似空白的地方，究竟能不能通過。這些問題把視覺感測從影像辨識推向空間理解，也重新定義感測元件在智能…
NextGO Epi布局4吋氧化鎵磊晶 搶攻高效率電力市場 (2026.10.19)
隨著AI資料中心、高功率伺服器及能源轉換系統對電力效率要求持續提高，寬能隙半導體為功率元件技術升級的重要方向。由台灣創業者周大順在德國柏林創辦的NextGO Epi，聚焦氧化鎵（Ga?O?）磊晶材料開發，並且以4吋晶圓製造技術切入新一代功率…
英飛凌與Wolfspeed簽訂8吋碳化矽晶圓供應協議 強化供應鏈韌性 (2026.10.19)
英飛凌科技與Wolfspeed簽訂全新的多年期8 吋碳化矽（SiC）晶圓供應協議，將雙方既有的供應合作由 6 吋基板技術轉向8 吋基板技術。從電動車、再生能源系統到 AI 資料中心電力基礎設施，碳化矽半導體已成為推動全球低碳化之電氣化與能源…
台積電2奈米加速產能 帶動先進材料與設備升級 (2026.10.16)
隨著AI加速器、高效能運算與新一代行動晶片持續提高效能及能源效率要求，半導體先進製程正加速邁向2奈米世代。台積電10月15日公布最新製程進展，2奈米技術已進入量產爬坡階段，第三季占晶圓營收比重達8%，高於第二季的3%，並預期2027年2奈米…
先進封裝推動設備升級 清洗與量測成良率關鍵 (2026.10.15)
隨著AI晶片朝Chiplet、HBM堆疊及3D先進封裝發展，半導體製程對晶圓潔淨度、表面形貌與精密量測的要求持續提高。半導體設備業者ACM Research與Wooptix近日於SEMICON West揭露最新技術布局，顯示清洗、沉積及晶圓…
盛新材料擴充SiC長晶產能 搶攻高功率元件供應鏈 (2026.10.13)
隨著電動車、工業電源及高效率電力轉換需求持續成長，第三代半導體材料碳化矽（SiC）逐漸成為功率電子產業的重要技術。台灣SiC晶錠與基板製造商盛新材料近日公布製程與產能布局，已具備6吋及8吋導電型、半絕緣型SiC晶錠與基板製造能力，並且持續推…
應材50億美元建造EPIC中心揭幕 跨域協作加速製程創新量產 (2026.10.13)
應用材料公司位於美國加州桑尼維爾的設備與製程創新暨商業化（Equipment and Process Innovation and Commercialization, EPIC）中心正式揭幕，投資50億美元整合材料研究、設備開發與晶片製程…
台積電攜手格羅方德強化AI先進封裝關鍵產能 (2026.10.12)
隨著生成式AI與高效能運算需求持續擴大，先進封裝已成為提升晶片運算效能與記憶體頻寬的重要技術。格羅方德（GlobalFoundries; GF）近日宣布與台積電簽署多年期、總額20億美元的製造合作協議，將於美國紐約州Malta廠擴充矽中介層…
AI硬體競爭下沉材料端 低損耗PCB與量測設備同步升級 (2026.10.06)
AI伺服器競爭正在從GPU、HBM與高速網路向更上游材料及製程設備延伸。隨著高速訊號、功耗與PCB層數增加，Low-Dk玻纖布、低粗糙度銅箔與高階CCL成為AI硬體升級的重要基礎；另一方面，材料結構愈複雜，也同步拉高X-射線(X-ray)等…
先進製程帶旺CMP耗材 研磨墊升級良率關鍵材料 (2026.10.06)
先進半導體製程持續微縮，加上HBM、3D NAND與立體元件結構增加，CMP（化學機械平坦化）正從晶圓製程中的單一環節，轉變為影響良率的重要製程，也讓過去較少受到市場注意的研磨墊、研磨液等耗材價值相對地提高。 最新產業資料顯示，7奈米以下邏…