MIT成功以單晶片鑽石薄膜大幅提升GaN晶體管散熱效能 (2026.06.09)

隨著6G通訊技術與衛星通訊硬體向更高頻段、高功率方向演進，次世代半導體元件的熱管理正逼近物理極限。麻省理工學院（MIT）研究團隊日前發表一項技術突破，成功在氮化鎵（GaN）高功率晶體管頂部，成功生長出超薄的「單晶鑽石」薄膜層。這項創新的晶圓…

博世再加碼30億歐元投資晶片 強化自身半導體業務發展 (2022.07.14)

放眼近年來從汽車到電動自行車、家電到穿戴式裝置，半導體不僅已是所有電子系統不可或缺的一部分，更驅動著現代科技世界的發展。博世（Bosch）除了因為早期便意識到半導體的日益重要性，加碼投資數十億歐元強化自身半導體業務發展。如今，更看好微電子將…

新一代單片式整合氮化鎵晶片 (2022.05.05)

氮化鎵或氮化鋁鎵（AlGaN）的複合材料能提供更高的電子遷移率與臨界電場，結合HEMT的電晶體結構，就能打造新一代的元件與晶片。…

科學家開發下一代「完全整合」LED元件 (2013.06.30)

倫斯勒理工學院(Rensselaer Polytechnic Institute)的智慧照明工程技術研究中心稍早前宣佈，已經成功地在相同的氮化鎵(GaN)上整合LED和功率電晶體。研究人員稱這項創新將敲開新一代LED技術的大門，因為它的製造…