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搜尋「矽穿孔」,共 89

HBM4將AI記憶體競爭推向更複雜的3D異質整合。除了提高頻寬與堆疊容量,新一代HBM開始把DRAM Stack與Logic Base Die、TSV及先進封裝更緊密整合,製程中的微小Void、Bump異常、Bonding偏移或TSV缺陷,

半導體製造面臨功耗與異質整合的嚴峻挑戰。科林研發(Lam Research)在 2026 會計年度中,科林研發全球營收達 232 億美元,研發投資規模達 24 億美元,展現其在製程技術創新的深厚底蘊。科林研發台灣區總經理郭偉毅博士於 SEM

全球半導體技術正由傳統的二維平面微縮,全面加速跨入高密度立體堆疊時代。隨著晶片互連結構更為精細、多晶粒整合面積與厚度增加,製程中的應力翹曲、介面平坦化與良率控制已成為關鍵瓶頸,使先進封裝材料從單純的輔助耗材,轉型為決定 AI 系統整體效能與

為滿足DRAM與先進封裝技術創新需求,應用材料公司近期推出一系列晶片製造新系統,以支援製造新一代AI晶片所需的3D架構。包含專為DRAM晶圓廠打造的磊晶(Epitaxy)系統、化學機械平坦化(CMP)與沉積系統、電子束系統(eBeam),挑

迎接AI資料中心高速互連的核心需求飛速成長,工研院今(29)日宣布,成功促成瑞峰半導體攜手法國新創NcodiN,共同投入奈米雷射光電共封裝關鍵技術研發,除了可望深化台灣在高速通訊與光電整合領域的技術布局,同時提升高效能運算(High Per

於本周進行的2026年IEEE/JSAP超大規模積體電路(VLSI)技術與電路研討會上,比利時微電子研究中心(imec)與索尼(Sony)共同發表一套用來建立超高密度晶背內連的創新整合模組,這些連接是3D堆疊和晶背功能化技術的關鍵組件。 該

智慧眼鏡的散熱挑戰在於所能使用的手段相對有限,若無法有效排除熱能,將直接導致效能降頻,更甚者會影響配戴者的皮膚感官或手感,造成使用體驗的斷崖式下跌。

為了探討AI時代的散熱轉型,本文特別採訪了新思科技,以及Cadence。從物理模擬與系統級分析的角度,剖析如何為新一代AI基礎建設打造最堅實的散熱後盾。

過去兩年間,我們見證了AI數據中心對大容量記憶體近乎瘋狂的渴求。這種需求不僅推升了SK海力士與三星的獲利表現,甚至引發了全球記憶體生產節奏的劇烈震盪。

迎合現今AI熱潮對於先進邏輯和記憶體需求,由比利時微電子研究中心(imec)協調整合的歐洲研究計畫奈米晶片(NanoIC)試驗製程,持續致力於加速2奈米以後的晶片技術創新。近日更宣布推出兩套全新製程設計套件(PDK),包含用於先進邏輯微縮技

3D晶片整合的關鍵技術「矽穿孔」(TSV) 有了新的突破,《Microsystems & Nanoengineering》期刊日前發布一項研究,揭示一種新型「雙面PI-Ni」TSV製程。此技術透過創新的雙面加工流程,巧妙地將「化學機械研磨」

迎接AI時代創新製程需求,應用材料公司於甫落幕的SEMICON Taiwan 2025國際半導體展論壇上,展示旗下先進封裝、製程創新與永續發展的關鍵技術,並透過該公司廣泛且互連的材料工程解決方案組合,實現構成AI和高效能運算基礎的重大裝置變

在過去近六十年的時間裡,半導體產業的發展軌跡幾乎完全由摩爾定律所定義,即積體電路上可容納的電晶體數目,約每18至24個月便會增加一倍,帶來處理器效能的翻倍成長與成本的相對下降。

AI運算浪潮持續升溫,高頻寬記憶體(HBM)也成為推動產業轉型的關鍵核心。根據最新市場調查,HBM 在資料中心 AI 伺服器與先進 GPU 應用需求的帶動下,出現前所未有的成長。憑藉領先的封裝技術與材料優勢,韓國記憶體大廠 SK 海力士成功

生成式AI快速發展,記憶體技術成為推動這一技術突破的關鍵。生成式 AI 的模型訓練與推理需要高速、高頻寬及低延遲的記憶體解決方案,以即時處理海量數據。因此,記憶體性能的提升已成為支撐這些應用的核心要素。 Counterpoint研究指出,傳

為加速推進高效能、低功率的AI晶片新封裝技術,應對次世代節能運算需求。應用材料公司近日於新加坡主辦高峰會,除集結超過20多位半導體產業頂尖的研發領袖,並鼓勵設備製造商、材料供應商、元件廠商與研究機構之間聯盟合作,並採用專為加速先進晶片封裝技