Littelfuse微型TMR感測器54100和54140具有更高靈敏度與效能 (2023.12.19)

Littelfuse公司推出微型穿隧式磁阻（TMR）效應感測器—54100和54140，兩款感測器均具備獨特的靈敏度和效能。與霍爾效應感測器相比，54100 / 54140感測器的主要差異在於高靈敏度和100倍功率，這些感測器可在x-y平面…

適用於磁感測器製造的高產出量選擇性雷射退火系統 (2020.11.17)

穿隧式磁阻（TMR）感測器製造商Crocus Technology率先採用全新microVEGA xMR系統進行生產應用…

意法半導體讓手機和穿戴式裝置在室內和封閉空間提升導航性能 (2016.05.13)

意法半導體（STMicroelectronics：簡稱ST）推出新款電子羅盤，使智慧手機、智慧手錶、健身追蹤器及其它穿戴式裝置擁有更好的導航和健身運動成績記錄功能，即使在衛星導航無法正常工作的情況下，仍能實現出色的定位準確度。 健身追蹤器手…

革新快閃記憶體邁出下一步 (2008.11.05)

市場對於主流非揮發性記憶體、特別是NAND Flash獨立儲存應用仍有廣大需求動能，短期內市場對NAND Flash及SSD的發展規模漸趨保守，長期發展前景仍舊維持審慎樂觀。NAND Flash在奈米微縮可擴充能力（Scalability）、儲存覆寫次數耐久性（Endurance）和資料保存能力（Data Retention）的侷限，使其面臨技術上和經濟上必須革新的關鍵。PCM、Racetrack、RRAM和MRAM等下一步非揮發性記憶體在技術上已有明顯進展，改善SSD儲存效能的解決方案也不斷推陳出新，Flash Memory大廠與研究單位正採取集中合作研發的投資模式，期盼進一步再造非揮發性記憶體技術應用高峰！…

日立奈米技術大突破TB級硬碟容量可望提高四倍 (2007.10.17)

日立與日立環球儲存科技宣佈，成功研發出超小型硬碟讀取磁頭技術，預計能將目前的儲存容量提高四倍，讓桌上型電腦與筆記本型電腦的硬碟容量將可分別達到4TB與1TB。 日立研究人員成功將目前磁頭的尺寸縮小一半以上，新磁頭尺寸在30至50奈米(nm)…

MRAM──更具行動應用前景的新世代記憶體 (2004.11.04)

MRAM擁有存取速度高、存取次數多、耗電量低及小體積、可嵌入式等特性，較現有的其他記憶體在可攜式電子產品的應用上更具優勢；本文將由MRAM的技術發展趨勢與廠商現況等面向，為讀者介紹此一新世代記憶體的應用前景。…

希捷3.5吋硬碟儲存容量高達400GB (2004.06.14)

美商希捷科技（Seagate Technology）近日對外發表儲存容量高達400GB的3.5吋硬碟。這種硬碟是由三片每片133GB，單面儲存密度達108Gbit/吋2的碟片所組成，總容量達400GB。值得一提的是，這種碟片的儲存密度為所有…