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搜尋「超接面」,共 71

英飛凌科技(Infineon)推出整合溫度感測器的全新 CoolMOS S7T 產品系列,具有出色的導通電阻和高精度嵌入式感測器,能夠提高功率電晶體接面溫度感測的精度,適用於提高固態繼電器(SSR)應用的性能和可靠性。 固態繼電器是各種電子

如今,3.3 kW的開關式電源(SMPS)透過採用圖騰柱PFC級中的超接面(SJ矽)功率MOSFET和碳化矽(SiC)功率MOSFET,以及能夠滿足高壓DC-DC功率轉換要求的氮化鎵(GaN)功率開關等最新技術,使得功率密度可以達到100

無晶圓廠無塵技術半導體公司Cambridge GaN Devices(CGD)使用氮化鎵 (GaN)開發出多款高能效功率裝置,協助打造出更為環保的電子產品;CGD 宣布由學術研究機構維吉尼亞理工大學進行的獨立第三方研究表現,CGD 的 IC

採用電池供電的電器是業界增長最快的市場區塊之一,此類應用需要節能、穩健和高性價比的電池充電方案。為了滿足這一需求,英飛凌推出了適用於返馳式拓撲結構的ICC80QSG單級PWM控制器,進一步擴展了英飛凌旗下AC-DC控制器IC的產品陣容。 該

英飛凌推出全新CoolMOS PFD7高壓MOSFET系列,為950 V超接面(SJ)技術樹立新標竿。全新950 V系列具有出色的效能與易用性,採用整合的快速二極體,確保元件堅固耐用,同時降低了BOM(物料清單)成本。 新產品專為超高功率密

在提高高壓電源的性能、效率和可靠性的同時,也需要減少元件的數量和材料清單(BOM)成本,並降低所需的設計工作量。為了滿足這些需求,英飛凌科技股份有限公司推出第五代定頻(FF)CoolSET產品組合,旨在提供合適的關鍵元件,以優化設計。 英飛

意法半導體(STMicroelectronics;ST)新推出之STPOWER MDmesh M9和DM9矽基N通道超接面多汲極功率MOSFET電晶體適用於設計資料中心服務器、5G基礎建設、平面電視的交換式電源供應器(Switched-Mo

英飛凌科技股份有限公司近日發佈了採用EconoDUAL 3標準工業封裝的全新1700 V TRENCHSTOP IGBT7模組。憑藉這項全新的晶片技術,EconoDUAL 3模組可提供業界領先的900 A和750 A額定電流,進一步拓展逆變

英飛凌科技為其採用TRENCHSTOP IGBT7晶片的EconoDUAL 3產品組合推出新的額定電流。憑藉從300A到900A的寬廣電流等級,該產品組合為逆變器設計人員提供了高度的靈活性,同時也提供了更高的功率密度和性能。除了太陽能和驅動

英飛凌科技向三星電子供應具有最高能源效率及最低噪音的功率產品。這些功率裝置已整合在三星最新款的單門式(RR23A2J3XWX、RR23A2G3WDX)與FDR(對開式:RF18A5101SR)變頻式冰箱。變頻是當代變頻器設計中,採用直流轉交

英飛凌科技股份有限公司成功開發出滿足最高效率和品質要求的解決方案,針對MOSFET低頻應用推出600V CoolMOS S7系列產品,帶來優異的功率密度和能源效率。 CoolMOS S7系列產品的主要特點包括導通性能優化、熱阻改善以及高脈衝