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搜尋「車載充電器」,共 150

英飛凌科技股份有限公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出基於成熟可靠750V CoolSiC G2技術平台打造的碳化矽(SiC)雙向開關(BDS)。該產品採用垂直整合雙晶片共汲極設計,採用頂部散熱Q-DPAK封裝,將

交通系統向城市操作系統(City OS)的轉型,實質上是人類社會走向「智慧社會」的縮影,許多廠商的努力,讓一個安全、高效、且具備高度韌性的移動生態已然具備雛形。

半導體製造商ROHM(總公司:日本京都市)開發出全新一代EcoSiC—「第5世代SiC MOSFET」,非常適用於xEV(電動車)牽引逆變器*等汽車電動動力總成系統,以及AI伺服器電源和資料中心等工業設備電源。 ROHM在開發第5世代SiC

半導體製造商ROHM融合自家GaN功率元件開發和製造技術,以及合作夥伴台積公司(TSMC)的製程技術,在集團內部建立一體化生產體系。透過取得台積公司的GaN技術授權,ROHM將進一步增強相應產品的供應能力,進而滿足AI伺服器和電動車等領域對

根據英飛凌科技近期發布的《2026年GaN技術展望》,氮化鎵(GaN)正快速從新興材料轉變為主流功率半導體技術,推動電力電子產業進入高效率、高功率密度與小型化的新階段。產業分析顯示,全球GaN功率半導體市場預計在2030年達到約30億美元,

在臺灣與亞洲主要汽車與商用車市場,車用電子系統持續朝向高密度整合與模組化發展。工程師除了必須在有限空間內導入更多 ECU、感測器與電力模組,此外,也承受來自整車廠與 Tier 1 對於組裝效率與成本控管的雙重壓力。針對此一產業趨勢,Mole

看好氮化鎵技術在功率電子應用的發展潛力,比利時微電子研究中心(imec)近日攜手愛思強(AIXTRON)、格羅方德(GlobalFoundries)、美商科磊(KLA)、新思科技(Synopsys)與威科儀器(Veeco)等,成為其12吋氮

1.前言 近年來,全球耗電量逐年增加,在工業和交通運輸領域的成長尤為顯著。另外以化石燃料為基礎的火力發電和經濟活動所產生的CO2(二氧化碳)排放量增加已成為嚴重的社會問題。因此為了實現零碳社會,努力提高能源利用效率並實現碳中和,已成為全球共

半導體製造商ROHM(總公司:日本京都市)將於2025年5月6日至8日參加在德國紐倫堡舉辦的PCIM(PCIM Expo & Conference)展會暨研討會。該展會是電力電子、智慧移動、可再生能源及能源管理領域的國際頂級盛會。ROHM將

Littelfuse公司是一家多元化的工業技術製造公司,致力於為永續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。本公司今日宣部推出Pxxx0S3G-A SIDACtor保護閘流管系列,該產品是業界首款採用DO-214AB(SMC)小型封裝的2 k