英飛凌新款高壓熱插拔控制器強化800V伺服器供電保護 (2026.11.02)
AI資料中心機櫃功率持續攀升，供電架構朝高壓直流發展，電源模組帶電接入時的浪湧控制與故障隔離，也成為系統可靠性的關鍵。英飛凌推出高壓熱插拔控制器XDP8HD40S-1，瞄準±400V及800VDC伺服器架構，整合數位電源路徑保護與監測，擴充…
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大聯大詮鼎攜安森美 聚焦機器人精準感測與高效驅動 (2026.10.30)
機器人朝高精度、低功耗與高可靠性發展，關節模組的功率效率、散熱及定位能力成為設計關鍵。大聯大旗下詮鼎集團攜手安森美舉辦線上研討會，聚焦MOSFET與電感式位置感測技術，解析馬達驅動、精密定位及致動器開發重點。 在功率驅動方面，安森美指出，機…
台積電2奈米加速產能 帶動先進材料與設備升級 (2026.10.16)
隨著AI加速器、高效能運算與新一代行動晶片持續提高效能及能源效率要求，半導體先進製程正加速邁向2奈米世代。台積電10月15日公布最新製程進展，2奈米技術已進入量產爬坡階段，第三季占晶圓營收比重達8%，高於第二季的3%，並預期2027年2奈米…
英飛凌27kW三相電源供應器解決方案 助力下一代AI伺服器電源架構 (2026.10.13)
人工智慧運算負載正在重新定義現代資料中心的電力需求。隨著 GPU 性能提升與機櫃功率密度不斷增加，電源架構逐漸朝向 800 VDC 或 ±400 VDC 躍進。為滿足這些新興需求，英飛凌科技新推出 27 kW 三相電源供應器（PSU）參考設…
意法半導體全新電氣隔離閘極驅動器 以先進隔離技術簡化功率系統設計 (2026.09.24)
全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，NYSE：STM，簡稱 ST）進一步擴充 STGAP3S 閘極驅動器系列。此系列採用強化電氣隔離設計，可提高可靠性；此次新增高效率且具成本效益的 3A 系列，適用於驅動電流…
貿澤即日起供貨安森美全新GaNEXUS GaN FET (2026.09.23)
提供種類最齊全的半導體與電子元件、專注於新產品導入的授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起供貨安森美 (onsemi) 全新GaNEXUS氮化鎵場效電晶體 (GaN FET)。GaNEXUS GaN FET運用…
安森美：攻克AI資料中心電力挑戰 固態變壓器嶄露頭角 (2026.09.09)
人工智慧的快速發展使得資料中心電力基礎設施面臨急遽攀升的供電需求。 傳統配電系統以 400V 交流母線為基礎，並需經過多個轉換級降至低壓伺服器供電，正日益承受壓力。 為應對這些挑戰，產業正逐步轉向 800V 高壓直流 （HVDC） 架構。 …
算力天花板不再取決於奈米 先進封裝擴產將決定AI晶片命運 (2026.08.25)
在半導體產業過去數十年的發展歷程中，摩爾定律始終是算力競賽的最高指引——只要縮小電晶體尺寸，就能換取更高的效能與更低的能耗。然而，隨著先進製程邁向 2 奈米、進入環繞式閘極（GAA）架構與晶背供電（如 A16）的極限領域，物理邊際效益顯著遞…
深耕40年的晶圓廠量測與檢測：重大里程碑和未來發展 (2026.08.20)
imec的量測專家在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術，瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期，提供imec前瞻量測發展藍圖，其發展動力與多項重大挑戰相關，包含尺寸微縮和3D技術的興起，還有成本和永續發展需求。…
英飛凌首款針對AI資料中心HVDC架構的24 kW SiC BBU參考設計問世 (2026.08.12)
英飛凌科技推出新款 24 kW 電池備份單元（BBU）DC-DC 參考設計。其專為AI資料中心的高壓直流母線架構而設計，是業內首款可直接在電池組與 800 V 直流母線之間運行的解決方案，採用了 650 V 和 1200 V 碳化矽（SiC…
深耕40年的晶圓廠量測與檢測：重大里程碑和未來發展 (2026.08.11)
imec的量測專家將在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術，瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期，同時提供imec的前瞻量測發展藍圖，其發展動力與多項重大挑戰相關，包含尺寸微縮和3D技術的興起，還有成本和永續發展的需求。…
台積電攜手陽明交大研發突破0.42奈米絕緣層解開二維半導體瓶頸 (2026.08.11)
陽明交通大學與台積電（TSMC）聯合研究團隊於近日傳出重大技術突破，成功在單層二硫化鉬（MoS?）等二維半導體材料上，建立起僅 0.42 奈米 厚的超薄氧化鋁（Al?O?）絕緣層，解決了業界困擾多年的原子級閘極介電層控制難題，為邁向 Sub…
安森美：AI算力競賽進入電力架構時代 設計與驗證成本不可忽視 (2026.07.31)
生成式AI與高效能運算快速發展，正將資料中心的競爭焦點，從單純追求運算效能，推向更根本的電力問題。當單一機架需要承載更高功率，系統業者面臨的不只是供電量增加，還包括轉換損耗、散熱、空間、可靠度與建置成本同步上升。AI資料中心的下一場競賽，將…
英飛凌首款CoolSiC G2技術碳化矽雙向開關問世 (2026.07.23)
英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出基於成熟可靠750V CoolSiC G2技術平台打造的碳化矽（SiC）雙向開關（BDS）。該產品採用垂直整合雙晶片共汲極設計，採用頂部散熱Q-DPAK封裝，將…
台灣整合記憶體架構 (2026.07.09)
隨著AI軟硬體不斷演進，記憶體的重要性如今已幾乎與算力並列，成為最重要的戰略資產。…
Nearfield完成3.8億美元D輪融資 創荷蘭deep-tech最大募資紀錄 (2026.06.23)
Nearfield Instruments 成功完成總額達 3.8 億美元（約 123 億新台幣）的 D 輪融資。本輪融資完成後，公司估值達 16 億美元， 是Nearfield 發展為半導體量測與檢測全球領導者的重要里程碑。 本輪融資由新…
imec突破鐵電記憶體技術 滿足AI時代海量資料與高密度需求 (2026.06.19)
本周2026年IEEE/JSAP超大規模積體電路（VLSI）技術與電路研討會上，比利時微電子研究中心（imec）發表了有關鐵電記憶體研究的兩大進展，鎖定鐵電電容器與鐵電場效電晶體（FET）這兩者作為實現低電壓運作和高密度記憶體整合的潛力方案…
艾司摩爾、台積電與imec合作實現12吋晶圓整合創新 (2026.06.16)
於本周進行的2026年IEEE/JSAP超大規模積體電路（VLSI）技術與電路研討會上，比利時微電子研究中心（imec）攜手微影解決方案大廠艾司摩爾（ASML）與晶圓代工大廠台積電（TSMC），共同發表一套創新、穩健且可擴充的12吋晶圓整合…
中研院與東大攜手研發新型光電元件 發光強度增強46倍 (2026.06.08)
中央研究院應用科學研究中心呂宥蓉副研究員與日本東京大學童俊智教授團隊合作，成功開發以「氮化鉿（HfN）」表面電漿子閘極調控二維半導體發光的新型元件設計。 該研究大幅提升二維材料的光與物質交互作用，發光強度最高可比傳統矽閘極元件增強約46倍，…
Power Integrations超薄型PSU設計 適用於800VDC AI資料中心 (2026.06.01)
在COMPUTEX 2026前夕，高壓能效電源轉換整合晶片商Power Integrations今（1）日推出兩款專為800VDC AI資料中心打造的新款超薄緊湊型輔助電源供應器（PSU）參考設計，首度採用高度整合、耐1700V額定電壓的P…