Microchip 1.2V時脈緩衝器實現最新SoC與FPGA和較高電壓元件間連接 (2026.09.09)
高效能 FPGA、SoC、AI 加速器及新一代 CPU 快速採用先進 FinFET 製程節點，市場對低電壓時脈驅動器的需求持續增加。目前標準 1.2V LVCMOS 時脈緩衝器，以及可將高電壓時脈訊號轉換至先進元件所需低電壓準位的準位轉換緩…
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ROHM開發出業界最高等級Wide-SOA的MOSFET (2026.09.03)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）針對車載安全功能和保護電路開發出100V耐壓MOSFET「RS4P063BPHZG」。 近年來，隨著汽車電子化的發展，開始要求車載系統能夠滿足高電壓和高電流的需求。尤其是在安全功能和保護電路中，異常…
深耕40年的晶圓廠量測與檢測：重大里程碑和未來發展 (2026.08.20)
imec的量測專家在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術，瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期，提供imec前瞻量測發展藍圖，其發展動力與多項重大挑戰相關，包含尺寸微縮和3D技術的興起，還有成本和永續發展需求。…
AI伺服器推升高壓BBU需求 新唐導入菊花鏈技術強化電池監測 (2026.08.19)
生成式AI帶動資料中心運算密度與伺服器功耗快速攀升，也使得備援電源架構朝高電壓、高效率與高可靠度發展。新唐科技針對AI伺服器電池備援單元（Battery Backup Unit, BBU）推出16串電池監測IC--「KA49703A」與「K…
NVIDIA：擴展AI運算效能需要全新電力架構 (2026.08.13)
每一代全新的加速運算技術，都對底層基礎設施提出更高要求，包括更強大的運算效能、更高的機架密度，以及更高效且可擴展的配電能力。真正的瓶頸不只在於供電瓦數，更在於電力從電網被輸送至 GPU的方式。 在傳統供電架構中，電力透過交流電（AC）從電網…
英飛凌首款針對AI資料中心HVDC架構的24 kW SiC BBU參考設計問世 (2026.08.12)
英飛凌科技推出新款 24 kW 電池備份單元（BBU）DC-DC 參考設計。其專為AI資料中心的高壓直流母線架構而設計，是業內首款可直接在電池組與 800 V 直流母線之間運行的解決方案，採用了 650 V 和 1200 V 碳化矽（SiC…
深耕40年的晶圓廠量測與檢測：重大里程碑和未來發展 (2026.08.11)
imec的量測專家將在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術，瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期，同時提供imec的前瞻量測發展藍圖，其發展動力與多項重大挑戰相關，包含尺寸微縮和3D技術的興起，還有成本和永續發展的需求。…
Power Integrations發表2200V GaN技術 拓展高壓電力系統應用 (2026.08.07)
Power Integrations（PI）宣布推出 2200 V PowiGaN 氮化鎵技術。該技術提升了商用 GaN 元件的電壓等級，使 GaN 技術可應用於過往主要由碳化矽（SiC）主導的高壓領域，提供相關系統在功率密度、效率與架構設…
ROHM開發出實現業界頂級低損耗650V耐壓IGBT (2026.07.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）開發出650V耐壓第4代IGBT*1，非常適用於車載電動壓縮機、HV加熱器以及工業設備用變頻器等應用。作為支援車載應用的650V等級產品，實現了業界頂級※低導通損耗VCE(sat)＝1.55V，同時…
Aledia左擁微型顯示 右抱AI光傳 (2026.07.09)
Micro LED持續緩步前進，在智慧錶、透明顯示和車用顯示領域漸漸打開市場。而在AI當道的世界，Micro LED似乎又找到了另一個可以大顯身手的地方，也就是AI高速傳輸的領域，有機會進入矽光子光傳的供應鏈，成為在CPO架構中的一員，取代…
突破微型衛星動力挑戰 台灣研發自主電漿推進技術 (2026.06.24)
成功大學航空太空工程學系李約亨特聘教授率領ZAPLAB團隊，今日於國科會記者會中發表自研成果，該團隊成功研發創新式的「真空陰極電弧推進器(Vacuum Cathode Arc Thruster, VCAT)」與「真空電弧誘發脈衝電漿推進器(…
使用EMI濾波器強化電動車動力系統合規效益 (2026.06.23)
隨著電動車電子架構日益複雜，高功率逆變器所產生的電磁干擾已成為電磁相容性（EMC）認證的重要挑戰。透過標準化車規EMI濾波器設計，可有效抑制雜訊、縮短開發週期，並提升動力系統合規效率。…
格棋化合物半導體榮獲第22屆台灣金根獎 (2026.06.10)
台灣碳化矽（SiC）材料廠格棋化合物半導體獲第22屆台灣金根獎肯定。台灣金根獎以「深耕台灣、佈局全球」為核心精神，表揚以台灣為營運根基、具備國際市場拓展能力與產業競爭力的企業。格棋此次以中小企業組「半導體及數位科技」領域獲獎，展現公司自20…
ROHM SiC MOSFET應用於HVDC化加速發展的AI伺服器電源BBU (2026.06.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）的750V耐壓SiC MOSFET已被應用於AI伺服器電源BBU（備用電池單元）中。隨著生成式AI的普及，AI伺服器電源正加速朝向更高壓及HVDC（高壓直流供電）架構演進，在此背景下，ROHM的Si…
MIT成功以單晶片鑽石薄膜大幅提升GaN晶體管散熱效能 (2026.06.09)
隨著6G通訊技術與衛星通訊硬體向更高頻段、高功率方向演進，次世代半導體元件的熱管理正逼近物理極限。麻省理工學院（MIT）研究團隊日前發表一項技術突破，成功在氮化鎵（GaN）高功率晶體管頂部，成功生長出超薄的「單晶鑽石」薄膜層。這項創新的晶圓…
AI如何成為交通系統的操作核心 (2026.06.09)
交通系統向城市操作系統（City OS）的轉型，實質上是人類社會走向「智慧社會」的縮影，許多廠商的努力，讓一個安全、高效、且具備高度韌性的移動生態已然具備雛形。…
12V極限與48V革命的必然性 (2026.06.08)
AI功耗大爆炸。這是一場人類在追求極致智慧的道路上，與物理學、材料學進行的正面遭遇戰。…
Microchip Technology今日宣布推出全新 3.3 kV HV-D3 mSiC 功率模組，專為加速 AI 超大規模資料中心與其他高電壓電力應用導入固態變壓器（Solid-State Transformer, SST）而設計。新…
為中壓汽車架構選擇48伏特連接器須知 (2026.05.20)
由於車載系統因法規與電子需求轉向48V中電壓架構，本文探討48伏特降本減重的優勢、連接器選型策略、防電弧安全機制，以及解決方案。…
重新定義新一代感測設計方向 (2026.05.18)
ams OSRAM 如何透過 ASIC 客製化、晶片層級創新（in-silicon innovation）與先進封裝技術，為工業與醫療應用提供兼具可靠性、高效率與高效能的感測解決方案。…