量子運算新突破 富士通開發鑽石自旋量子電腦原型機 (2026.09.11)
富士通（Fujitsu）成功開發出全球首款結合錫-空位（SnV）中心與光學積體電路的鑽石自旋量子電腦原型機。此項技術突破不僅運作溫度高於傳統超導量子電腦，更透過高保真度與光學互連特性，為量子電腦邁向「模組化大規模擴展」奠定關鍵里程碑。 該成…
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High-NA EUV材料戰升溫 日本生質光阻搶攻10奈米 (2026.09.10)
先進半導體微縮競爭從EUV曝光設備延伸至光阻、光罩與量測材料。日本王子控股（Oji Holdings）與imec合作開發的木質生質光阻，透過High-NA EUV曝光已成功形成10奈米線寬及16奈米孔洞圖形，鎖定A14世代製程，更重要的是不…
深耕40年的晶圓廠量測與檢測：重大里程碑和未來發展 (2026.08.20)
imec的量測專家在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術，瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期，提供imec前瞻量測發展藍圖，其發展動力與多項重大挑戰相關，包含尺寸微縮和3D技術的興起，還有成本和永續發展需求。…
深耕40年的晶圓廠量測與檢測：重大里程碑和未來發展 (2026.08.11)
imec的量測專家將在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術，瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期，同時提供imec的前瞻量測發展藍圖，其發展動力與多項重大挑戰相關，包含尺寸微縮和3D技術的興起，還有成本和永續發展的需求。…
突破記憶體密度瓶頸 CEA-Leti推出22奈米3D FeRAM (2026.06.16)
法國半導體研究機構CEA-Let日前於檀香山舉行的VLSI會議上，發表在22奈米製程節點上，利用創新的3D電容器架構展示了鐵電隨機存取記憶體（FeRAM）。解決了長期限制FeRAM密度的瓶頸，使其能與揮發性記憶體競爭。 研究團隊透過垂直整合…
AMD與三星策略合作 共同開發下一代AI記憶體解決方案 (2026.03.19)
AMD與三星電子宣布簽署合作備忘錄（MOU），雙方將在下一代AI記憶體與運算技術上擴大策略合作。簽署儀式於三星位於韓國平澤最先進的晶片製造園區舉行，由AMD董事長暨執行長蘇姿丰博士與三星電子副會長暨執行長全永鉉共同出席。 根據此合作備忘錄，…
三星正式出貨商用HBM4 採用12層堆疊技術 (2026.02.12)
三星電子正式量產商用HBM4產品，並完成業界首次出貨。三星憑藉其第六代10奈米級DRAM製程（1c），實現穩定良率，無需額外重新設計即順利完成。 三星HBM4提供穩定的11.7Gbps的處理速度，相較業界標準8Gbps提升約46%。相較於前…
imec採用EUV微影技術 展示固態奈米孔首次晶圓級製造 (2026.02.03)
於今年IEEE國際電子會議（IEDM），imec展示運用極紫外光（EUV）微影技術首次成功完成的固態奈米孔晶圓級製造。固態奈米孔作為分子感測應用的有力工具，正在逐漸興起，但還未進行商業化。這項概念驗證是邁向其經濟高效（大規模）生產的關鍵一步…
三星發表10奈米以下DRAM技術 結合CoP架構與耐熱新材料 (2025.12.17)
三星電子(Samsung)與三星綜合技術院(SAIT)，週二在舊金山舉行的IEEE第70屆國際電子元件會議(IEDM)上，正式發表了製造10奈米(nm)以下DRAM的關鍵技術。該技術透過Cell-on-Peri(CoP)架構將記憶體單元堆疊…
Intel傳尋求與TSMC合作 全球晶圓代工格局恐現新變數 (2025.09.29)
根據外媒報導，Intel 正與台積電（TSMC）接觸，探討投資與合作的可能性，以鞏固自身在晶圓代工與先進製程的競爭力。此舉引發業界高度關注，因為它不僅涉及兩大半導體巨頭的戰略互動，也折射出全球供應鏈在地緣政治與技術變革下的新態勢。 Inte…
南亞科攜鈺創合資5億成立AI記憶體設計公司 劍指邊緣運算 (2025.08.07)
台灣兩大記憶體廠南亞科技（Nanya Technology）與鈺創科技（Etron Technology）於今日共同宣布將合資新台幣5億元，成立一家專注於AI記憶體設計服務的新公司，將是搶攻AI邊緣運算市場商機的關鍵一步。 根據協議，新公司…
英國突破GaN電晶體技術 為6G通訊開創新視野 (2025.06.16)
根據外媒報導，英國布里斯托大學（University of Bristol）的研究團隊成功開發出「超晶格櫛形場效電晶體」（Superlattice Castellated Field Effect Transistors, SLCFETs）…
突破「繞射極限」台灣新技術讓光學顯微鏡看清奈米級神經世界 (2025.06.11)
傳統光學顯微鏡受限於「繞射極限」，難以窺探奈米尺度的微觀世界，而電子顯微鏡又無法觀察活體樣品。一項由中央研究院應用科學研究中心陳壁彰研究員團隊主導的突破性技術，成功將光學顯微鏡的解析度推向奈米級別，為神經科學研究開啟嶄新篇章。 這項名為「聚…
超越銅線！韓研發新型碳奈米管纖維 助力電動車與無人機輕量化 (2025.03.20)
韓國電氣研究院 (KERI) 奈米混合技術研究中心研究團隊，成功運用現有合成纖維製程，直接製造出「功能性纖維」，為穿戴式電子裝置的發展奠定基礎。 KERI利用單壁碳奈米管 (CNT)製成的高能量、輕量化纖維。碳奈米管是一種比鋼鐵強韌100倍…
進入High-NA EUV微影時代 (2024.09.19)
比利時微電子研究中心（imec）運算技術及系統／運算系統微縮研究計畫的資深副總裁（SVP）Steven Scheer探討imec與艾司摩爾（ASML）合建的High-NA EUV微影實驗室對半導體業的重要性。…
[SEMICON]Electroninks推出先進的導電銅墨水產品系列 (2024.09.05)
電子和半導體封裝用的金屬有機分解（MOD）墨水材料供應商Electroninks推出先進的導電銅墨水產品系列。此新型銅墨水擴充Electroninks的金屬複合墨水產品組合，為客戶提供更高的製造靈活性。Electroninks於9月4-6日…
經濟部深耕台南科專成果展 輔導400家企業帶動150億產值 (2024.07.30)
迎接全球數位化及淨零碳排浪潮之下，經濟部累計3年來積極投入科研資源，共輔導台南逾400家傳產及中小企業雙軸轉型、技術升級，創造近150億元產值。並於今（30）日假南台灣創新園區舉辦科專成果展，透過所屬研發法人如工研院、金屬中心及食品所等展出…
ASML與imec成立High-NA EUV微影實驗室 (2024.06.05)
比利時微電子研究中心（imec）與艾司摩爾（ASML）共同宣布，雙方於荷蘭費爾德霍溫合作開設的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室正式啟用，為尖端的邏輯、記憶體晶片商以及先進的材料、設備商提供第一部高數值孔徑（high-N…
英特爾晶圓代工完成商用高數值孔徑極紫外光微影設備組裝 (2024.04.22)
英特爾位於美國俄勒岡州希爾斯伯勒的英特爾研發基地中，研發人員已完成商用高數值孔徑極紫外光微影設備（High NA EUV）組裝。此台由微影技術領導者艾司摩爾（ASML）供應的TWINSCAN EXE:5000 High-NA EUV微影設備…
工研院秀全球最靈敏振動感測晶片 可測10奈米以下振動量 (2024.03.28)
經濟部科技研發主題館於台灣工具機展「TMTS 2024」3月27日正式登場，主題館整合三個法人單位包含工研院、精密機械研發中心、金屬中心，展出共計22項高階工具機關鍵技術。其中，工研院開發「全球最靈敏振動感測晶片」，以創新微動電路及抗電磁干…