Sony與imec推出高密度晶背連接模組 實現新一代3D晶片整合 (2026.06.17)
於本周進行的2026年IEEE/JSAP超大規模積體電路（VLSI）技術與電路研討會上，比利時微電子研究中心（imec）與索尼（Sony）共同發表一套用來建立超高密度晶背內連的創新整合模組，這些連接是3D堆疊和晶背功能化技術的關鍵組件。 該…
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解鎖新一代3D NAND快閃記憶體的垂直間距微縮 (2025.07.15)
3D NAND快閃記憶體的產品目前配有超過300層堆疊氧化層和字元線層，以滿足位元儲存能力方面的需求。imec正在開發兩項可在不犧牲記憶體運作和可靠度的情況下實現垂直間距微縮的關鍵技術：氣隙整合與電荷捕捉層分離。…
仿效樹根 結構 中國交大研發新型電子電路印刷技術 (2025.02.02)
中國西安交通大學的研究人員近日發表了一項共形電子學的重大突破，有效解決了長期以來機械和熱耐用性方面的挑戰。他們新開發的「模板約束增材」（Template-Constrained Additive，TCA）印刷技術，仿效樹根的強韌結構，有望顯…
imec採用High-NA EUV技術 展示邏輯與DRAM架構 (2024.08.11)
比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發表了曝光後的圖形化元件結構。在單次曝光後，9奈米和5奈米（間…
評比奈米片、叉型片與CFET架構 (2022.04.21)
imec將於本文回顧奈米片電晶體的早期發展歷程，並展望其新世代架構，包含叉型片（forksheet）與互補式場效電晶體（CFET）。…
EV GROUP推出全新多功能微米及奈米壓印解決方案 (2022.01.19)
晶圓接合暨微影技術設備供應商EV Group（EVG）推出EVG7300自動化SmartNIL奈米壓印與晶圓級光學系統。EVG7300是EVG最先進的解決方案，可在單一平台上結合如奈米壓印微影技術（NIL）、透鏡壓鑄與透鏡堆疊（UV接合）等…
供過於求 DRAM產值持續衰退 (2016.02.15)
TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新報告顯示，受到DRAM平均銷售單價持續下降及市況持續供過於求影響，2015年第四季全球DRAM總產值為102.7億美元，季衰退9.1%。 DRAMeXchange研究協理吳…
宜特研究Creep Corrosion再下一城，推出濕硫磺蒸氣(FOS)試驗 (2014.04.21)
iST宜特科技今宣佈(4/21號) 與國際客戶策略合作工程技術發展，成功研究出抵抗環境因素，克服高端產品(例如4G/LTE、雲端伺服器)中之PCB爬行腐蝕(Creep Corrosion)的驗證技術-濕硫磺蒸氣試驗(Flower of Su…
[WOW]可溶性電子植入人體妙用多 (2012.11.14)
在電子電路、電腦晶片及太陽能電池中被廣泛運用的矽，是一種化學特性相對穩定的“惰性材料”，如今科學家們不僅利用它來開發生物用的矽電路，更進一步研發能在生物體內分解的有機半導體聚合物與分子電晶體，作為所謂的可溶性電子設備，目標是應用在醫療電子領…
2012年全球晶圓製造設備支出衰退8.9% (2012.06.26)
國際研究暨顧問機構Gartner發布最新展望報告，2012年全球晶圓製造設備（WFE）支出預期為330億美元，較2011年362億美元的支出規模衰退了8.9%。Gartner分析師表示，晶圓製造設備市場可望於2013年恢復成長，預期屆時的支…
Gartner：晶圓設備市場2013恢復成長 (2012.06.26)
隨著晶圓和其它邏輯製造廠增加30奈米以下的生產， 晶圓製造設備於2012初始表現強勁。但是，根據Gartner最新報告，2012年全球晶圓製造設備（WFE）支出預期為330億美元，較2011年362億美元的支出規模衰退了8.9%。 Gart…
除了怕三星 我們還看到了什麼？ (2011.06.19)
在全球市場打滾許久的台灣電子產業界科技大老們，近日不約而同地宣洩出心中最深層的感觸：「三星好可怕」。從半導體晶圓代工、EMS專業代工、DRAM及記憶體、面板、筆電和主機板、智慧手機和媒體平板到節能電池，三星都成為台灣電子廠商最大威脅的競爭對…
軟實力不敵硬實力 HTC品牌排名慘遭三星擠下 (2011.06.16)
從最近台灣DRAM廠茂德財務再度傳出問題，讓人不禁想起台灣DRAM產業一路的風風雨雨。台灣DRAM產業二次崩盤潮的災情逐漸擴大，連2010年台灣DRAM廠中是少數賺錢的力晶，日前都必須先一步未雨綢繆向經濟部申請貸款展延，象徵台灣DRAM產業…
LPDDR2可望當家 Wide I/O不容小覷 (2011.05.09)
行動DRAM記憶體的發展樣貌正在改變當中，LPDDR2的出貨量很有機會在今年底前取代LPDDR1，成為行動DRAM的主流記憶體規格。但其他新興技術急起直追的態勢，也值得密切注意。…
智慧手機和平板助攻 行動DRAM聲勢看漲 (2011.04.13)
在智慧型手機和媒體平板裝置的帶動下，行動DRAM（Mobile DRAM）需求也隨之水漲船高，包括低功耗DRAM和虛擬DRAM（Pseudo SRAM）的聲勢正不斷看漲。 2010年全球DRAM市場規模為391億美元，行動裝置相關應用就佔1…
行動DRAM瞬息萬變 LPDDR2被誰後來居上？ (2011.04.01)
智慧型手機和媒體平板裝置大量傳輸數據的應用趨勢，正改變行動DRAM記憶體的發展樣貌，LPDDR2的出貨量很有機會在今年底前取代LPDDR1，成為行動DRAM的主流記憶體規格。但其他新興技術急起直追的態勢，也值得密切注意。 根據市調機構iSu…
三星大怪獸 2011年DRAM產能恐超越全台灣 (2010.08.18)
2010年全球DRAM市場容量需求高達44%，其中LCD TV、智慧型手機以及工業應用需求成長高於市場平均。也因需求大，平均售價高，帶動營收創下歷史新高，但MIC產業分析師李曉雯認為，下半年供需比將呈現不平衡狀態，DRAM價格將逐步下跌，尤…
希捷與三星締結企業級SSD控制器聯合開發協定 (2010.08.16)
希捷科技和三星電子（Samsung）近日宣佈，兩家公司已開始合作研發企業級SSD控制器技術並簽署了授權協議。雙方將在此一合作協定下，共同開發以及交叉授權固態硬碟（solid state drive;SSD）儲存裝置的相關控制器技術（cont…
高容量記憶體 可望因3D IC而不再是奢侈品 (2010.06.24)
旺宏電子今日（6/24）發表最新的3D NAND Flash研究成果，其總經理盧志遠表示，這顆3D IC與一般討論的Sip、TSV技術不同，但是能夠大幅降低Bit Cost。未來若能步入量產，可以解決高容量記憶體成本高昂的問題，最高目標希望…
三星電子發表全新高效能NAND記憶體 (2010.05.07)
三星電子日前發表新款8Gb OneNAND晶片，是利用30奈米級的製程技術完成，由於多元的應用軟體與大量多媒體軟體的使用日漸增長，創造了智慧型手機需要更多程式資料儲存的趨勢，基於單層式（SLC）NAND flash設計的全新高密度OneNA…