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搜尋「ICeGaN」,共 6

無晶圓廠潔淨技術半導體公司Cambridge GaN Devices(CGD)與工業技術研究院(ITRI)簽署合作備忘錄,以鞏固雙方在開發高性能氮化鎵USB-PD適配器的合作夥伴關係。 CGD致力於開發多種節能的氮化鎵(GaN)器件,以實現

Cambridge GaN Devices(CGD)今日宣布推出第二代的 ICeGaN 650 V氮化鎵 HEMT 系列產品,提供領先業界的耐用性、易於使用及最高效率等特色。H2 系列 ICeGaN HEMT 採用 CGD 的智慧閘極介面,

無晶圓廠無塵技術半導體公司Cambridge GaN Devices(CGD)使用氮化鎵 (GaN)開發出多款高能效功率裝置,協助打造出更為環保的電子產品;CGD 宣布由學術研究機構維吉尼亞理工大學進行的獨立第三方研究表現,CGD 的 IC