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搜尋「MirrorBit」,共 74

英飛凌科技股份有限公司針對電池供電的小型電子設備應用推出優化的SEMPER Nano NOR Flash快閃記憶體產品,為新興的可穿戴式及工業應用,包括健身追蹤器、智慧耳機、健康監測儀、無人機和GPS導航等,實現精準追蹤、記錄關鍵訊息、增強

Spansion近日推出65奈米製程的單晶片4Gb NOR Flash產品。4Gb的Spansion GL-S具備高品質與高速讀取性能,為遊戲與車用電子中的互動式圖片、動畫及影片應用帶來更佳的使用者體驗。 此款Spansion旗艦級GL-S

體感遊戲當紅,產業界對於需要快速資料存取、開機效能與互動功能的NOR Flash記憶體需求逐漸上升。歷經破產重整之路的Spansion上週五(2/18)推出新款NOR Flash記憶體裝置,以因應新一代嵌入式應用需求,汽車、消費性電子以及遊

Spansion近日宣布,推出Spansion VS-R系列產品,使手機製造商可針對新興市場如中國、印度、東南亞、非洲與拉丁美洲,提供經濟實惠的入門款手機與智慧手機。此系列亦相當適用於蜂巢式機器對機器(Machine to Machine,

Spansion於日前宣布,與飛思卡爾半導體(Freescale)合作開發具附加價值的記憶體子系統,適合應用於汽車業的新一代儀表板。其新研發出的高解析度TFT顯示螢幕—以單一液晶顯示螢幕取代傳統的儀表板,並藉由多種數位顯示設計提供資訊、增進

爾必達與快閃記憶體方案領導廠商Spansion於日前宣布,共同研發NAND製程技術與產品,包含納入一項NAND Flash的晶圓代工服務協議。爾必達也取得Spansion NAND IP技術的非獨家授權,該項技術乃是以其MirrorBit

Spansion週三(3/31)宣佈,該公司為機上盒、數位電視、工業設計,以及晶片組的製造商等客戶,推出90奈米256Mb的MirrorBit多重I/O序列式週邊介面(SPI)快閃記憶體裝置最新樣品。 新的消費與工業應用需要密度更高的序列式

純快閃記憶體解決方案供應商Spansion公佈了即將推出的MirrorBit ORNAND2產品系列生產計畫,該系列產品的寫入速度可提高25%,讀取速度最高可提升一倍,其裸片尺寸也比目前的浮動閘門NAND快閃記憶體明顯減小。Spansion

Spansion宣佈榮獲由數位視訊龍頭企業同洲電子(Coschip)頒發的最佳合作伙伴獎。為同洲電子提供高容量、安全儲存產品的Spansion是唯一獲得這一殊榮的NOR快閃記憶體供應商。在雙方已逾三年的合作中,Spansion為同洲電子銷售

純快閃記憶體解決方案供應商Spansion宣佈,已與IBM達成為期七年的專利交叉許可協議。IBM已連續15年成為全球獲得最多美國專利的公司,其專利包括了儲存解決方案。最近,IBM推出了開發代號為「Racetrack」的次世代技術,這是一種將

Spansion宣布在義大利米蘭設立其安全及先進技術事業部(Security and Advanced Technology Division;SATD)總部,以強化MirrorBit ORNAND2架構及安全產品策略的開發計劃。該部門將負

快閃記憶體供應商Spansion宣佈,開始向其策略型OEM客戶提供針對手機設計的65nm MirrorBit Eclipse快閃記憶體解決方案樣片。透過將標準NOR快閃記憶體所具有的出色隨機存取性能與MirrorBit Eclipse架構所

Spansion宣佈,與財務年度2007下半年相比,財務年度2008上半年,其製造業務能力的提升,預計將使其每季對晶圓代工廠及外包商的倚賴成本減少約5,000萬美元。 製造效率的提升帶動了公司在德州奧斯汀Fab 25產量的增加,同時其位於日

Spansion與非揮發性記憶體(NVM)智慧財產權(IP)授權供應商Saifun宣佈,Spansion根據雙方分別於2007年10月8日和2007年12月12日簽署的收購協議書及修正條款完成對Saifun的收購。 透過收購Saifun,S

Spansion宣佈已獲得了Discretix的CryptoFlash安全平台的使用授權,整合至其MirrorBit HD-SIM解決方案。Spansion和Discretix正在設計一套全新的多晶片MirrorBit HD-SIM解決方案

全球純快閃記憶體解決方案供應商Spansion宣佈,公司獲得由UT斯達康(中國)有限公司頒發的2007年度策略供應商獎。Spansion是唯一獲此榮譽的NOR快閃記憶體供應商。 策略供應商獎是UT斯達康對供應商最高榮譽的認同,也是UT斯達康

全球純快閃記憶體解決方案供應商Spansion宣佈提供65nm MirrorBit Quad產品樣片,此舉距Spansion推出世界首款、同時也是唯一一款每單元四位元90nm快閃記憶體元件不到一年。Spansion計畫將在其位於日本的新旗艦