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搜尋「VLSI」,共 280

IBM今(25)日發表全球首見的次奈米(Sub-1nm)晶片技術,並採用革新性的0.7奈米電晶體架構,對於面臨傳統晶片尺寸縮放物理極限的半導體產業來說,具有里程碑意義,並導入電腦、家用電器、通訊設備、交通運輸系統和關鍵基礎設施等領域,發揮至

本周2026年IEEE/JSAP超大規模積體電路(VLSI)技術與電路研討會上,比利時微電子研究中心(imec)發表了有關鐵電記憶體研究的兩大進展,鎖定鐵電電容器與鐵電場效電晶體(FET)這兩者作為實現低電壓運作和高密度記憶體整合的潛力方案

英特爾(Intel)在夏威夷舉辦的「2026年VLSI技術與電路研討會上,首度公開其最新「Intel 18A-P」製程的關鍵進展,並在現場成功展示了全球首創的 300mm晶圓級氮化鎵與矽邏輯晶片(GaN+Si)單片整合技術。 這項技術利用異

於本周進行的2026年IEEE/JSAP超大規模積體電路(VLSI)技術與電路研討會上,比利時微電子研究中心(imec)與索尼(Sony)共同發表一套用來建立超高密度晶背內連的創新整合模組,這些連接是3D堆疊和晶背功能化技術的關鍵組件。 該

於本周進行的2026年IEEE/JSAP超大規模積體電路(VLSI)技術與電路研討會上,比利時微電子研究中心(imec)攜手微影解決方案大廠艾司摩爾(ASML)與晶圓代工大廠台積電(TSMC),共同發表一套創新、穩健且可擴充的12吋晶圓整合

法國半導體研究機構CEA-Let日前於檀香山舉行的VLSI會議上,發表在22奈米製程節點上,利用創新的3D電容器架構展示了鐵電隨機存取記憶體(FeRAM)。解決了長期限制FeRAM密度的瓶頸,使其能與揮發性記憶體競爭。 研究團隊透過垂直整合

隨著全球半導體技術持續推進,AI、量子計算、高效能運算(HPC)等技術發展正驅動產業革新,今年由工研院主辦第42年的「國際超大型積體電路技術、系統暨應用研討會」(VLSI TSA),即將於4月21~24日於新竹國賓飯店登場。 會中將邀請重量

五年多前,比利時微電子研究中心(imec)提出了半鑲嵌(semi-damascene)這個全新的模組方法,以應對先進技術節點銅雙鑲嵌製程所面臨的RC延遲增加問題。

於本周舉行的IEEE國際超大型積體電路技術研討會(VLSI Symposium)上,比利時微電子研究中心(imec)推出兩款用於基地站與手機的先進類比數位轉換器(ADC)。支援射頻(RF)取樣的基地站ADC在高達5GHz的多個頻段運行,並結

於本周舉行的2024年IEEE國際超大型積體電路技術研討會(VLSI Symposium)上,比利時微電子研究中心(imec)首次展示了具備電性功能的CMOS互補式場效電晶體(CFET)元件,該元件包含採用垂直堆疊技術形成的底層與頂層源極/

在經濟部產業技術司支持下,今(23)日由工研院主辦的「2024國際超大型積體電路技術研討會(VLSI TSA)」已逾41年,今年更聚焦人工智慧(AI)帶來的科技革新,匯集國內外產官學研超過60位專家共襄盛舉,如英特爾、NVIDIA、台積電、

面對現今人工智慧(AI)、5G構成的AIoT時代來臨,包括自駕車、精準醫療診斷、衛星影像辨識等應用須快速處理大量資料,要求更快、更穩、功耗更低的新世代記憶體成為各家大廠研發重點。工研院今(17)日也發表與台積電合作,攜手開發出自旋軌道轉矩磁

比利時微電子研究中心(imec)於本文攜手矽智財公司Arm,介紹一種展示特定晶背供電網路設計的設計技術協同優化(DTCO)方案,其中採用了奈米矽穿孔及埋入式電源軌來進行晶背佈線。

英特爾是首家在類產品的測試晶片上實作背部供電的公司,達成推動世界進入下個運算時代所需的效能。英特爾領先業界的晶片背部供電解決方案-PowerVia,將於2024上半年在Intel 20A製程節點推出。藉由將電源迴路移至晶圓的背面,解決因晶片