工研院於IEDM發表下世代FRAM與MRAM記憶體技術 (2019.12.10)
工研院於今美國舉辦的IEEE國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting；IEDM)中發表三篇鐵電記憶體(Ferroelectric RAM；FRAM)以及三篇磁阻隨機存取記憶體（Magne…
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3D FeFET角逐記憶體市場 (2019.11.25)
愛美科技術總監Jan Van Houdt解釋FeFET運作機制，以及預測這項令人振奮的「新選手」會怎樣融入下一代記憶體的發展藍圖。…
TI Introduces the Most Accurate Single-Chip Ultrasonic Sensing MCU for Smart Water Meters (2017.09.27)
Texas Instruments (TI) unveiled a new family of MSP430 microcontrollers (MCUs) with an integrated ultrasonic sensing ana…
TI's New Unified Memory 16-bit Microcontrollers (2016.11.04)
Texas Instruments (TI) expanded its ultra-low-power MSP430 FRAM microcontroller (MCU) portfolio with two new low-power f…
富士通開發全新FRAM具有4 Mbit記憶容量 (2016.03.01)
香港商富士通亞太電子有限公司台灣分公司宣布，富士通成功開發具有4 Mbit記憶容量的全新FRAM（鐵電隨機存取記憶體）產品─MB85RQ4ML，此產品是以高速運算改善網路裝置效能的非揮發性記憶體，於四線SPI介面非揮發性RAM市場中擁有高密…
為1Mb序列FRAM開發超小型封裝 (2015.07.14)
1 Mb FRAM（鐵電隨機存取記憶體）的MB85RS1MT元件，採用8針腳晶圓級晶片尺寸封裝（WL-CSP）製程。全新的WL-CSP製程可讓封裝面積僅有目前8針腳SOP（small-outline package）封裝的23%，而厚度也約…
[專欄]記憶體撞牆效應誰來解？ (2014.12.15)
電腦系統的效能精進，在近年來遭遇一些問題，例如處理器的時脈撞牆（Clock Wall）問題，即運作時脈難以超越4GHz，2011年第4季Intel推出第二代的Core i7處理器達3.9GHz，至今Intel所有的處理器均未超過3.9GHz…
美高森美太空產品長期促動羅塞塔號探測器任務 (2014.12.03)
美高森美太空產品逾一萬五千個部署於長達十年的羅塞塔號探測器任務 美高森美公司（Microsemi）祝賀歐洲太空總署（ESA）、美國國家航空暨太空總署（NASA）和其合作夥伴的羅塞塔號（Rosetta）探測器成功達到了觀測67P/Churyu…
Apple公開智慧手機用生物辨識專利 (2012.12.20)
Apple在2012年10月公開的專利"可存取內部元件的裝置和方式"（Devices and method for providing access to internal component）當中的一部分，出現了行動電話用的生物辨識系統說…
針對奈米電子時代的非揮發性記憶體 (2010.02.02)
目前主流的基於浮閘快閃記憶體技術的非揮發性記憶體（NVM）技術有望成為未來幾年的參考技術。但是，快閃記憶體本身固有的技術和物理局限性使其很難再縮小技術節點。在這樣的環境驅使下，業界試圖運用新的材料和概念研發更好的記憶體技術，以替代快閃記憶體，並更有效地縮小記憶體，提高儲存效能。這篇文章將分析主要幾項基於無機材料的新非揮發性記憶體技術，如鐵電記憶體 (FeRAM)、磁阻記憶體(MRAM)和相變化記憶體(PCM)，以及主要的基於鐵電或導電開關聚合物等有機材料的創新記憶體概念。最後將重點式探討相變化記憶體技術，因為該技術最具發展為下一代非揮發性記憶體技術的潛力。…
Ramtron非揮發性狀態保存器通過汽車標準認證 (2009.05.21)
非揮發性鐵電記憶體(F-RAM)和整合式半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈，其兩款非揮發性狀態保存器(nonvolatile state saver)FM1105-GA和FM110…
Ramtron在V系列增添串列512Kb FRAM (2008.11.20)
Ramtron International推出F-RAM系列產品中的第二款串列元件FM25V05，提供高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件特性。FM25V05是512Kb、2.0V至3.6V及具有串列周邊介面（SPI）的非揮發性RAM，採用…
Ramtron推出1Mb並行FRAM (2008.11.18)
Ramtron推出全新並行和串列FRAM系列中的首款並行產品，提供更高速的讀/寫性能、更低的工作電壓和可選元件的特性。Ramtron的V系列FRAM產品中的最新元件FM28V100，是100萬位元、2.0至3.6V的並行非揮發性RAM，採用…
新一代NVM記憶體之爭 MRAM贏面大 (2008.11.12)
全球先進半導體設備及製程技術供應商Aviza今日（11/13）在台表示，MRAM有希望從多家新一代非揮發性記憶體（Non-Volatile Memory;NVM）技術中脫穎而出，並取代目前主流的SRAM，成為終極的通用型記憶體解決方案。 有…
Ramtron百萬位元串列FRAM記憶體 (2008.09.18)
Ramtron宣佈推出新型F-RAM系列中的首款產品，具有高速讀/寫性能、低電壓工作和可選元件的特性。Ramtron的V系列F-RAM產品的首款元件FM25V10，是100萬位元（Mb）、2.0至3.6V、具有串列外設介面（SPI）的非揮發…
Ramtron委任貝能國際擴大FRAM中國銷售管道 (2008.08.18)
Ramtron International將進一步增強中國市場滲透的措施，委任貝能國際（Burnon International）在中國內地及香港地區分銷其全系列產品。 過去七年半以來，Ramtron在中國市場的銷售大幅度成長，現在中國市場…
08年Q2全球記憶體銷售 三星依舊稱王 (2008.08.11)
外電消息報導，市場研究公司iSuppli日前表示，根據統計資料，今年第二季三星電子在全球記憶體市場上依舊表現搶眼，市場佔有率已超過了30%，持續維持第一大記憶體廠的龍頭地位。 iSuppli表示，今年第二季三星電子的銷售依然持續增加，Q2營…
其陽選擇Ramtron的FRAM用於遊戲機解決方案 (2008.08.08)
台灣應用工業計算平台製造商其陽科技（Aewin Technologies），已在其以Intel為基礎的 GA-2000及以AMD為基礎的GA-3000遊戲和高解析度多媒體PC電路板中，設計使用Ramtron的FM22L16 400萬位元FR…
Energy Optimizers選擇FRAM用於管理插頭 (2008.07.25)
Ramtron宣佈，英國的 ZigBee和藍牙智慧節能設備設計和製造商Energy Optimizers已將Ramtron的FM25L512 512千位（Kb）串列F-RAM記憶體，設計用於其Plogg系列無線能量管理插頭中。F-RAM所提…
Ramtron串列F-RAM達汽車電子AEC-Q100標準 (2008.05.28)
Ramtron International擴展其符合AEC-Q100標準要求的F-RAM記憶體產品，FM24CL64 64Kb串列F-RAM已通過認證，可在-40至+85℃的Grade 3汽車溫度範圍內使用。FM24CL64是Ramtron…