搜尋

會員登入

搜尋

導覽

會員
廣告
廣告

IR為感應加熱應用推出全新超高速1200 V IGBT

瀏覽次數:2462

國際整流器公司 (IR) 於昨(27)日,發表全新超高速溝道絕緣閘雙極電晶體 (IGBTs),從而優化感應加熱和共振開關應用,例如焊接與高功率整流。

該公司表示,全新1200 V IGBT元件利用IR的纖薄晶圓溝道技術,提供關鍵的性能效益,包括用來降低功率耗散和提升功率密度的低VCE (on) 及超高速開關。此外,新元件還包含一個1300 V重複峰壓額定值,增強可靠性。這些IGBT與低正向電壓高峰值電流軟順向回復二極體一起封裝,從而優化共振零電流開啟操作。

IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示,IR新型1200 V IGBT的可靠性極高,而且能夠提升功率密度及效能,是感應加熱和共振應用的理想之選。

打通 3D IC 設計任督二脈:從架構探索到最終簽核的加速實踐

打通 3D IC 設計任督二脈:從架構探索到最終簽核的加速實踐

Chiplet 與異質整合正在改變半導體設計。透過高效能中介層與先進封裝,設計團隊可將不同製程、不同供應商的運算、記憶體、I/O 與加速器 IP,整合為複雜的系統級封裝。

Chiplet 與異質整合正在改變半導體設計。透過高效能中介層與先進封裝,設計團隊可將不同製程、不同供應商的運算、記憶體

關鍵字:IGBT