隨著電動車、工業電源及高效率電力轉換需求持續成長，第三代半導體材料碳化矽（SiC）逐漸成為功率電子產業的重要技術。台灣SiC晶錠與基板製造商盛新材料近日公布製程與產能布局，已具備6吋及8吋導電型、半絕緣型SiC晶錠與基板製造能力，並且持續推動12吋晶體技術研發，強化台灣關鍵半導體材料自主供應能力。
相較傳統矽材料，SiC具有高崩潰電場、高熱導率及耐高溫等特性，適用於高電壓、高功率密度及高效率電力轉換系統，包括電動車逆變器、充電設備、工業馬達驅動及再生能源電力系統。
盛新材料目前已建置65台長晶爐，並且建立晶體生長、晶錠加工與基板製造流程。隨著晶圓尺寸由6吋提升至8吋，單片基板可提供更大的元件製造面積，有助於改善後續晶圓製造的規模經濟，但同時也提高晶體品質與製程控制難度。
在8吋SiC材料與長晶設備自主化趨勢之下，8吋SiC基板正邁向量產，台灣強化第三代半導體材料布局。
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SiC基板製造的關鍵挑戰，在於長晶過程中的溫度梯度、晶體缺陷與應力控制，以及後續切割、研磨及拋光所需的表面品質。當基板尺寸增加，如何維持低缺陷密度、厚度均勻性及穩定良率，將直接影響功率元件製造成本與可靠度。
盛新材料同步投入12吋SiC晶體技術開發，顯示產業正朝更大尺寸材料探索。不過，目前12吋技術仍尚待晶體品質、加工能力及客戶製程驗證。
由於SiC產業競爭要點正由材料供應延伸至長晶設備、精密加工、表面處理及缺陷檢測。對台灣半導體材料與設備業者而言，未來能否提升8吋基板良率、降低製造成本並取得下游客戶認證，將成為擴大第三代半導體市場布局的重要關鍵。
