High-NA EUV量產倒數 先進製程供應鏈全面重整 (2026.09.15)
AI晶片推升先進製程需求，半導體微縮競賽正由既有EUV邁向High-NA EUV。ASML最新High-NA曝光設備單價約4億美元，約為現行EUV兩倍，然而隨著Intel、台積電、三星及SK海力士陸續確認或規劃導入，High-NA已逐步由研…
搜尋「曝光機」，共 97 筆
High-NA EUV材料戰升溫 日本生質光阻搶攻10奈米 (2026.09.10)
先進半導體微縮競爭從EUV曝光設備延伸至光阻、光罩與量測材料。日本王子控股（Oji Holdings）與imec合作開發的木質生質光阻，透過High-NA EUV曝光已成功形成10奈米線寬及16奈米孔洞圖形，鎖定A14世代製程，更重要的是不…
深耕40年的晶圓廠量測與檢測：重大里程碑和未來發展 (2026.08.20)
imec的量測專家在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術，瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期，提供imec前瞻量測發展藍圖，其發展動力與多項重大挑戰相關，包含尺寸微縮和3D技術的興起，還有成本和永續發展需求。…
深耕40年的晶圓廠量測與檢測：重大里程碑和未來發展 (2026.08.11)
imec的量測專家將在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術，瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期，同時提供imec的前瞻量測發展藍圖，其發展動力與多項重大挑戰相關，包含尺寸微縮和3D技術的興起，還有成本和永續發展的需求。…
日本OIST發表全新簡化高NA EUV設計 大幅降低半導體功耗與成本 (2026.06.18)
沖繩科學技術大學院大學（OIST）新田特束教授17日於《微/奈米圖案化、材料與計量學期刊》（JM3）發表一項創新性的光學硬體破局技術，宣布對高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）曝光機的照明與投影系統進行激進重構，解決半導體光學功耗與…
先進製造佈局 半導體與工具機的共生演進 (2026.04.08)
隨著2026年生成式AI正式由雲端大模型（Cloud AI）轉向更具即時性、隱私性的地端代理人（Agent AI）與物理人工智慧（Physical AI），全球對於算力的定義正在發生質變。…
金屬中心攜手SUSS布局高精度曝光對位技術 強化先進封裝設備能量 (2026.03.16)
金屬中心與德商SUSS簽署MOU 攜手布局次世代高精度曝光對位技術 在人工智慧（AI）、高效能運算（HPC）與5G應用快速推進下，先進封裝與奈米級製程技術的重要性日益提升。為強化半導體設備關鍵技術能量並深化國際合作，金屬中心今（16）日與德…
TMTS 2026推數位尋寶挑戰 互動式觀展串聯AI與綠色製造 (2026.03.10)
兩年一度的工具機產業盛會「2026台灣國際工具機展（TMTS 2026）」將於3月25日至28日在臺中國際會展中心登場。為強化展覽互動體驗並促進參觀者與展商之間的技術交流，主辦單位今年首度規劃「TMTS數位尋寶挑戰」活動，透過兩條主題式探索…
imec光阻劑減量：MOR曝光後烘烤步驟注入氧氣成為產量關鍵推手 (2026.03.03)
日前舉行的2026年國際光學工程學會（SPIE）先進微影成形技術會議（Advanced Lithography + Patterning Conference）上，比利時微電子研究中心（imec）展示在EUV微影曝光後步驟精準控制氣體成分有…
Canon噴墨式平坦化技術 為先進製程帶來成本革命 (2026.01.13)
長期以來，晶圓在多層堆疊過程中，表面會產生細微的起伏，這會導致光學曝光時出現失焦，進而造成電路缺陷。傳統上，業界依賴化學機械研磨（CMP）來磨平晶圓，但隨著製程邁向 2 奈米甚至更深層，CMP 的精度已逐漸遇到瓶頸。除了追求更精細的線寬，如…
韓國晶片大廠擴產潮啟動 供應鏈再迎新一波成長動能 (2025.11.19)
韓國半導體產業再度吹起擴張號角。根據報導，韓國兩大晶片製造商近期針對先進製程與記憶體產能展開大規模投資，帶動整體供應鏈期待升溫，形成一股向外擴散的產業活水。這不僅象徵南韓企業在地緣競爭與 AI 商機面前全力應戰，更可能改寫東亞半導體市場格局…
imec採用High-NA EUV單次圖形化 展示20奈米金屬導線電性良率 (2025.03.04)
日前舉行的國際光電工程學會（SPIE）先進微影成形技術會議（Advanced Lithography and Patterning Conference）上，比利時微電子研究中心（imec）展示首次在20奈米間距金屬導線結構上取得的電性測試…
雷射干涉儀實現線型馬達平台 位移即時補償回授控制 (2024.10.29)
本文說明透過雷射干涉儀選用裝設有內建增量式光學尺的商用線型馬達移動平台，搭配驅動控制器進行定位精度的分析與比較。…
進入High-NA EUV微影時代 (2024.09.19)
比利時微電子研究中心（imec）運算技術及系統／運算系統微縮研究計畫的資深副總裁（SVP）Steven Scheer探討imec與艾司摩爾（ASML）合建的High-NA EUV微影實驗室對半導體業的重要性。…
imec採用High-NA EUV技術 展示邏輯與DRAM架構 (2024.08.11)
比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發表了曝光後的圖形化元件結構。在單次曝光後，9奈米和5奈米（間…
ASML與imec成立High-NA EUV微影實驗室 (2024.06.05)
比利時微電子研究中心（imec）與艾司摩爾（ASML）共同宣布，雙方於荷蘭費爾德霍溫合作開設的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室正式啟用，為尖端的邏輯、記憶體晶片商以及先進的材料、設備商提供第一部高數值孔徑（high-N…
Imec展示高數值孔徑EUV生態系統進展 率先導入ASML曝光機 (2024.02.26)
於本周舉行的2024年國際光學工程學會（SPIE）先進微影成形技術會議（Advanced Lithography and Patterning Conference）上，比利時微電子研究中心（imec）將呈現在極紫外光（EUV）製程、光罩和…
以超快雷射源 打造低碳金屬加工製程 (2023.12.26)
由於雷射具有高能量密度與聚焦性質，成為目前全球引領創新低碳先進製程的重要工具，工研院南分院也自2022~2023年逐步引進德國、立陶宛超快雷射源，合作打造研發創新與打樣中心。…
imec與三井化學締結策略夥伴關係 推動EUV奈米碳管光罩護膜商用 (2023.12.22)
比利時微電子研究中心（imec）與三井化學共同宣布，為了推動針對極紫外光（EUV）微影應用的奈米碳管（CNT）光刻薄膜技術商業化，雙方正式建立策略夥伴關係。此次合作，三井化學將把imec根據奈米碳管所研發的創新光罩護膜技術，整合至三井化學的…
台灣五金、金屬材料暨加工設備、工安聯展 從頭打造強韌供應鏈 (2023.10.22)
順應全球供應鏈重組及南向趨勢，由開國公司主辦的2023台灣五金展（THS）、金屬材料暨精密加工設備展（iMT）和首屆工業暨職業安全展（T-SAFE）三合一大展甫於南港展覽二館落幕。提供目前在業界積極邁向淨零碳排年代，正積極尋求優質五金、加工…