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搜尋「SMPS」,共 217

隨著 AI 運算、工業自動化與高效能電力系統快速成長,各行各業對高耗能應用的需求持續攀升,電力電子技術在功率密度、效率與可靠性功能正面臨前所未有的挑戰。在此趨勢下,分立式功率 MOSFET 的角色愈發關鍵,而如何透過應用導向的設計思維,進一

最新一代CoolGaN電晶體實現了現有平台的快速重新設計。新元件改進了性能指標,確保為重點應用帶來具有競爭力的切換性能。與主要同類產品和英飛凌之前的產品系列相比,CoolGaN 650 V G5電晶體輸出電容中儲存的能量(Eoss)降低了多

在電機驅動和開關模式電源(SMPS)等電池供電應用中,電源架構通常要求在模組發生故障時能夠斷開該模組與主電源軌的連接。為實現這一功能,往往會採用MOSFET等高側斷開開關,以防止負載短路影響電池。英飛凌科技推出EiceDRIVER 1EDL

隨著人工智慧(AI)處理器對功率的要求日益提高,伺服器電源(PSU)必須在不超出伺服器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率,因為高階 GPU 的能源需求激增。至2030 年,每顆高階 GPU 晶片的能耗可能達到 2千瓦或以上。這些需求以及更高

美商柏恩(Bourns)推出四款全新大功率、極低歐姆電流檢測電阻系列,可在電力電子設計中節省能源,同時最大化感測性能。該系列具有低溫度係數(TCR),可在廣泛的溫度範圍內提供操作精度和長期穩定性。其極低的電阻水準、低熱電磁勢(EMF)和大功

意法半導體透過2023年工業巡迴論壇,更進一步在不同城市,為不同客戶延伸和展現工業解決方案、技術和產品。 透過「激發智慧 永續創新」的主軸,與會者能透過各種技術和產品以及解決方案的介紹,親身體驗前沿技術和激發智慧的應用。利用這樣的機會,CT

如今,3.3 kW的開關式電源(SMPS)透過採用圖騰柱PFC級中的超接面(SJ矽)功率MOSFET和碳化矽(SiC)功率MOSFET,以及能夠滿足高壓DC-DC功率轉換要求的氮化鎵(GaN)功率開關等最新技術,使得功率密度可以達到100

Cambridge GaN Devices(CGD)今日宣布推出第二代的 ICeGaN 650 V氮化鎵 HEMT 系列產品,提供領先業界的耐用性、易於使用及最高效率等特色。H2 系列 ICeGaN HEMT 採用 CGD 的智慧閘極介面,

MCU市場發展,客戶的需求主要都來自於供需的考量。從8位元到32位元市場,廠商持續推出新產品的態勢不變。在MCU市場歐美品牌依然是使用者最為主流的選擇。

英飛凌推出全新CoolMOS PFD7高壓MOSFET系列,為950 V超接面(SJ)技術樹立新標竿。全新950 V系列具有出色的效能與易用性,採用整合的快速二極體,確保元件堅固耐用,同時降低了BOM(物料清單)成本。 新產品專為超高功率密