隨著AI資料中心、高功率伺服器及能源轉換系統對電力效率要求持續提高，寬能隙半導體為功率元件技術升級的重要方向。由台灣創業者周大順在德國柏林創辦的NextGO Epi，聚焦氧化鎵（Ga?O?）磊晶材料開發，並且以4吋晶圓製造技術切入新一代功率半導體供應鏈，瞄準高效率電源轉換與高壓應用市場。
目前功率半導體主要由矽、碳化矽（SiC）及氮化鎵（GaN）支撐不同電壓與功率需求。氧化鎵具有約4.9電子伏特的超寬能隙及高崩潰電場潛力，理論上可使用較薄的耐壓層達到高電壓操作要求，並有機會降低元件導通電阻與電力轉換損耗。
NextGO Epi布局4吋氧化鎵磊晶，加速開發第四代半導體材料，氧化鎵瞄準AI資料中心電源。
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NextGO Epi採用金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）技術成長氧化鎵磊晶層，透過控制氣相反應與薄膜品質，朝大尺寸及批次化製造發展。相較單片實驗室製程，MOCVD具備多片晶圓同時處理的潛力，有助於未來擴充材料產能。
不過，氧化鎵距離大規模商用仍面臨技術挑戰。首先是P型摻雜困難，限制部分元件結構設計；其次是材料熱導率較低，對高功率操作下的散熱與封裝提出更高的要求。此外，磊晶缺陷、晶圓均勻性及長期可靠度，也都是材料進入功率元件供應鏈前必須克服的問題。
現今AI資料中心朝向高功率密度與高效率配電發展，新型功率材料有機會應用於電源轉換、工業電力及再生能源設備，但仍須完成元件製造與系統級驗證，才能確認實際效率優勢。
氧化鎵技術將帶動台灣半導體材料與電源供應鏈在磊晶設備、晶圓檢測、功率元件製程、封裝材料及熱管理技術方面的發展。產業未來競爭的關鍵不僅在材料耐壓特性，更在於製程良率、成本控制與客戶量產認證能力。
